芯片功耗的一种测量方法，包括如下步骤：将待测芯片的应用场景设置成符合或近似ＪＥＤＥＣ标准的环境；将待测芯片通电工作一定时间，使用待测芯片工作稳定；分别测量待测芯片的壳温以及待测芯片周围空气环境的温度；将所测到的待测芯片的壳温及待测芯片周围空气环境的温度，代入下式，计算出待测芯片的功耗。Ｐ＝（Ｔ↓［Ｃ］－Ｔ↓［Ａ］）／（θ↓［ｊＡ］－θ↓［ｊＣ］×α），式中θ↓［ｊＡ］、θ↓［ｊＣ］和α是芯片的固有参数，可以通过芯片资料或由芯片供应商提供；Ｔ↓［Ｃ］为芯片的壳温；Ｔ↓［Ａ］为芯片附近空气环境温度。本发明专利技术具有不用测量芯片的电压和电流，仅仅只通过测量芯片工作时的壳温和芯片周围空气环境的温度，就可获得芯片功耗大小的优点。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种用来测量芯片的耗散功耗的测量方法，尤其是对于输出功率相对总功率很小的芯片功耗的测量方法。
技术介绍
常用的芯片功耗测试方法是测试芯片的供电电压和电流，然后计算 出芯片的功耗，但是，这种常用的芯片功耗测试方法对于很难通过测量电压和电流，如BGA封装或者多电压供电的芯片，要通过测量直接其电 压和电流数据，其难度是很大的。因此，常用芯片功耗测试方法并不适 合于这类芯片的功耗测试。
技术实现思路
.本专利技术的目的是克服上述问题，向社会提供一种避开芯片的电压和 电流的测量，仅通过测量芯片工作时的壳温和芯片周围空气环境的温 度，就可获得芯片功耗大小的测量方法。本专利技术的原理是通常情况下芯片会规定最高工作结温以及获得结 温计算时所需的参数，对于结温的计算通常有两种方式，即通过环境温 度计算结温以及通过芯片壳温计算结温。 首先通过环境温度计算结温由下面的表达式定义。 ^=^+ xP (式一)式中？;代表芯片的结温；r,代表芯片附近空气环境温度； 表示从芯片的结到周围环境的热阻系数；P是芯片的耗散功率。 另外芯片的结温也可以通过芯片的壳温计算得到。^二^+《cX尸c (式二)7^为芯片的壳温； 表示从芯片的结到壳的热阻系数；A表示芯片耗散功耗通过壳散发的部分，会有 尸c二axP (式三)其中"是一个大于o小于1的系数。将上述式一、式二和式三中的A和7;消去，可得式四尸二 [一^ -^x"(式四)上式分母中 、 和"是芯片的固有参数，可以通过芯片资料或由芯片供应商提供；这样就可以通过测量芯片的壳温以及芯片周围空气环 境的温度计算出芯片的耗散功耗。在运用上述方法测量功耗的时候，芯片的应用场景要符^^或近似 JEDEC标准，即待测芯片的附近没有别的大功率器件的存在，这样才能 得出比较准确的结果。具体地说，本专利技术的测量方法包括如下步骤1、，其特征在于，包括如下步骤(1 )、将待测芯片的应用场景设置成符合或近似JEDEC标准的环境；(2)、将待测芯片通电工作一定时间，使用待测芯片工作稳定； (3 )、分别测量待测芯片的壳温以及待测芯片周围空气环境的温度；(4 )、将所测到的待测芯片的壳温及待测芯片周围空气环境的温 度，代入下式，计算出待测芯片的功耗尸=々 ^_上式中 、《c和"是芯片的固有参数，可以通过芯片资料或由芯片供应商提供；7^为芯片的壳温；r,为芯片附近空气环境温度。本专利技术具有不用测量芯片的电压和电流，仅仅只通过测量芯片工作 时的壳温和芯片周围空气环境的温度，就可获得芯片功耗大小的优点。 具体实施例方式以PMC-Sierra, Inc >^司的电子开关芯片PM8385芯片为例，其热阻 系数&在无风的情况下为32. 48°C/W, ^ (表示芯片从结到芯片底部的热阻系数)为23. 7°C/W, (即上文中的《c )为8. 5°C/W。 则<formula>formula see original document page 5</formula>在基本符合JEDEC标准的应用条件下，测量到芯片的壳温7^为61。C，芯片环境温度7;为32. 2°C，芯片环境温度指芯片工作时的芯片周围的空气温度。 则<formula>formula see original document page 5</formula>而实测芯片在同样的工作条件下的电压和电流计算得到的芯片功耗为1. 2W。两结果非常接近。权利要求1、，其特征在于，包括如下步骤(1)、将待测芯片的应用场景设置成符合或近似JEDEC标准的环境；(2)、将待测芯片通电工作一定时间，使用待测芯片工作稳定；(3)、分别测量待测芯片的壳温以及待测芯片周围空气环境的温度；(4)、将所测到的待测芯片的壳温及待测芯片周围空气环境的温度，代入下式，计算出待测芯片的功耗<maths id="math0001" num="0001" ><math><!]></math></maths>上式中θjA、θjC和α是芯片的固有参数，可以通过芯片资料或由芯片供应商提供；TC为芯片的壳温；TA为芯片附近空气环境温度。全文摘要，包括如下步骤将待测芯片的应用场景设置成符合或近似JEDEC标准的环境；将待测芯片通电工作一定时间，使用待测芯片工作稳定；分别测量待测芯片的壳温以及待测芯片周围空气环境的温度；将所测到的待测芯片的壳温及待测芯片周围空气环境的温度，代入下式，计算出待测芯片的功耗。P＝(T<sub>C</sub>-T<sub>A</sub>)/(θ<sub>jA</sub>-θ<sub>jC</sub>×α)，式中θ<sub>jA</sub>、θ<sub>jC</sub>和α是芯片的固有参数，可以通过芯片资料或由芯片供应商提供；T<sub>C</sub>为芯片的壳温；T<sub>A</sub>为芯片附近空气环境温度。本专利技术具有不用测量芯片的电压和电流，仅仅只通过测量芯片工作时的壳温和芯片周围空气环境的温度，就可获得芯片功耗大小的优点。文档编号G01R21/02GK101598750SQ20081006763公开日2009年12月9日 申请日期2008年6月3日 优先权日2008年6月3日专利技术者邓顶阳, 陈志辉 申请人:优仪半导体设备(深圳)有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
芯片功耗的一种测量方法，其特征在于，包括如下步骤： （１）、将待测芯片的应用场景设置成符合或近似ＪＥＤＥＣ标准的环境； （２）、将待测芯片通电工作一定时间，使用待测芯片工作稳定； （３）、分别测量待测芯片的壳温以及待测芯片 周围空气环境的温度； （４）、将所测到的待测芯片的壳温及待测芯片周围空气环境的温度，代入下式，计算出待测芯片的功耗 Ｐ＝（Ｔ↓［Ｃ］－Ｔ↓［Ａ］）／（θ↓［ｊＡ］－θ↓［ｊＣ］×α） 上式中θ↓［ｊＡ］、θ↓［ｊＣ］和α是 芯片的固有参数，可以通过芯片资料或由芯片供应商提供；Ｔ↓［Ｃ］为芯片的壳温；Ｔ↓［Ａ］为芯片附近空气环境温度。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：邓顶阳，陈志辉，
申请(专利权)人：优仪半导体设备深圳有限公司，
类型：发明
国别省市：94[中国|深圳]
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