【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体行业烧结,尤其涉及一种防粘连的烧结装置及其控制方法。
技术介绍
1、半导体烧结工艺是半导体器件制造过程中的关键技术之一,该工艺主要是在高温和高压的条件下,利用半导体原料中的化学反应和晶体生长原理,将粉末状的半导体原料烧结为具有一定形状和结构的晶体体块。这些晶体体块可以用于制造各种半导体器件,如二极管、晶体管、集成电路等。目前,多采用自动化烧结设备进行半导体烧结。
2、在自动化烧结设备上,需要将聚四氟乙烯(ptfe,polytetrafluoroethylene)薄膜辅助运用在芯片或其他被烧结物被烧结的过程中,其作用是防止烧结过程中压头污染被烧结物,且ptfe膜自身具有良好的韧性,在烧结的过程中可以有效地起到缓冲作用,避免压头冲击被烧结物而导致被烧结物失效或移位的问题。
3、然而,在利用该ptfe膜进行烧结工艺时,由于烧结工艺需要采用高温进行烧结,常常会在烧结的过程中发生ptfe膜部分熔化而粘连产品,导致自动化烧结过程中产品被粘起来,模具将产品压碎的现象;其次,该ptfe膜还会粘到压头上,导致p
...【技术保护点】
1.一种防粘连的烧结装置,其特征在于:包括下模机构、上模机构、防粘连机构和收放膜机构;
2.如权利要求1所述的防粘连的烧结装置,其特征在于:所述剥离组件包括压簧、导杆、轴承和连接块,所述上模座的底端设有安装槽,所述连接块设于所述安装槽的开口处,所述轴承设于所述连接块中,所述导杆可升降地设于所述轴承内,所述导杆的上端穿入所述安装槽,所述压簧套设于所述导杆的上端,所述导杆的下端伸出所述安装槽并与所述压板连接。
3.如权利要求2所述的防粘连的烧结装置,其特征在于:在所述第一开模阶段、所述第二开模阶段,所述压簧均处于被压缩状态,所述压簧对所述导杆具有向
...【技术特征摘要】
1.一种防粘连的烧结装置,其特征在于:包括下模机构、上模机构、防粘连机构和收放膜机构;
2.如权利要求1所述的防粘连的烧结装置,其特征在于:所述剥离组件包括压簧、导杆、轴承和连接块,所述上模座的底端设有安装槽,所述连接块设于所述安装槽的开口处,所述轴承设于所述连接块中,所述导杆可升降地设于所述轴承内,所述导杆的上端穿入所述安装槽,所述压簧套设于所述导杆的上端,所述导杆的下端伸出所述安装槽并与所述压板连接。
3.如权利要求2所述的防粘连的烧结装置,其特征在于:在所述第一开模阶段、所述第二开模阶段,所述压簧均处于被压缩状态,所述压簧对所述导杆具有向下的作用力,使得所述导杆对所述压板施加向下的作用力。
4.如权利要求2所述的防粘连的烧结装置,其特征在于:所述导杆的下端设有台阶轴;所述压板具有相对的第一端和第二端,所述第一端设有u型孔,所述u型孔的孔壁为与所述台阶轴的结构相匹配的台阶结构;所述第二端设有腰型孔、限位孔、缺口、复位弹簧和限位块,所述腰型孔与所述u型孔相对应,所述腰型孔的孔壁为与所述台阶轴的结构相匹配的台阶结构;所述限位孔设于所述腰型孔的侧部且与所述腰型孔连通,所述缺口与所述限位孔连通,所述复位弹簧设于所述限位孔远离所述腰型孔的一端,所述限位块具有主体部和突出部,所述突出部连接于所述主体部的中部,所述主体部设于所述限位孔内且位于所述复位弹簧与所述腰型孔之间,所述突出部伸至所述缺口内;
5.如权利要求4所述的防粘连的烧结装置,其特征在于:所述台阶轴包括从上至下依次同轴连接的第一台阶部、第二台阶部和第三台阶部,所述第二台阶部的外径分别小于所述第一台阶部的外径和所述第三台阶部的外径,所述第二台阶部处形成环槽,所述主体部远离所述复位弹簧的一端插入对应导杆的环槽内,且所述主体部远离所述复位弹簧的一...
【专利技术属性】
技术研发人员:田天成,陈朋飞,郭小花,高哲轩,
申请(专利权)人:苏州宝士曼半导体设备有限公司,
类型:发明
国别省市:
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