【技术实现步骤摘要】
本公开实施例涉及半导体领域，特别涉及一种半导体结构的制作方法及其结构。
技术介绍
1、晶圆是指半导体积体电路制作所用的晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆；在晶片上可加工制作成各种电路元件结构，而成为有特定电性功能的产品。晶圆的原始材料通常是硅，而地壳表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅矿石经由电弧炉提炼，盐酸氯化，并经蒸馏后，制成了高纯度的多晶硅。
2、然而目前随着集成电路芯片的集成度越来越高，芯片体积也越来越小，芯片之间会通过金属导线实现连接，因此通常会在晶圆表面铺设金属，为了不会对后面形成金属导线造成影响，通常会将晶圆边缘的金属去除，然而目前在去除晶圆边缘的金属的过程中会存在部分金属残余，且在后续的工艺中这部分残留的金属会不断掉落，会对后续的工艺步骤造成影响。
3、因此，有必要提供一种半导体结构的制作方法以提高形成的半导体结构的可靠性。
技术实现思路
1、本公开实施例提供一种半导体结构的制作方法及其结构，至少可以提高半导体结构的可靠性。
2、根据本公开...
【技术保护点】
1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述刻蚀处理包括：采用酸性溶液刻蚀所述互联层，所述酸性溶液包括双氧水和硫酸的混合溶液。
3.根据权利要求2所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，双氧水的质量百分比浓度为30％～60％，硫酸的质量百分比浓度为60％～90％。
4.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，进行N次刻蚀处理，且所述N次刻蚀处理的时间依次减小，其中N为大于等于2的正整数。
5.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征...
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述刻蚀处理包括：采用酸性溶液刻蚀所述互联层，所述酸性溶液包括双氧水和硫酸的混合溶液。
3.根据权利要求2所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，双氧水的质量百分比浓度为30％～60％，硫酸的质量百分比浓度为60％～90％。
4.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，进行n次刻蚀处理，且所述n次刻蚀处理的时间依次减小，其中n为大于等于2的正整数。
5.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述还原气体包括：氢气。
6.根据权利要求5所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，通入的氢气的流量为2～6sccm。
7.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，进行n次还原处理，且每次所述还原处理的时长相等，其中n为大于等于2的正整数。
8.根据权利要求1或7所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述还原处理的时长为3～7s。
9.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述晶圆还包括中心区，所述边缘区环绕所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：马克，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。