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本公开实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构的制作方法及其结构，其中，半导体结构的制作方法包括：提供晶圆，所述晶圆包括边缘区；形成互联层，所述互联层位于所述晶圆的表面；进行刻蚀处理，所述刻蚀处理用于刻蚀部分所述边缘区的所述互联层；进行还原...
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