【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，具体涉及一种氮化物半导体衬底的制备方法、半导体衬底及半导体器件。
技术介绍
1、以gan及ingan、algan合金材料为主的iii-v族氮化物材料(又称gan基材料)是近几年来国际上倍受重视的新型半导体材料。gan基材料是直接带隙宽禁带半导体材料，具有1.9—6.2ev之间连续可变的直接带隙，优异的物理、化学稳定性，高饱和电子漂移速度，高击穿场强和高热导率等优越性能，在短波长半导体光电子器件和高频、高压、高温微电子器件制备等方面具有重要的应用。
2、但是由于gan只能生长在异质衬底如蓝宝石、硅等衬底上，晶格失配和热失配造成gan薄膜内部具有大的应力，造成gan基器件性能很难提高。另外，巨大的应力会造成gan厚膜和异质衬底裂成碎片，因而无法应用。无论采用机械抛光或者激光剥离去除蓝宝石衬底，应力仍然存在于gan材料中。因此降低或者消除gan厚膜中的应力，是有效发挥gan材料潜能的重要解决方法。本专利技术给出了利用图案化gan侧向外延降低gan薄膜材料中应力和获得高质量gan衬底的方法以及工艺。
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【技术保护点】
1.一种氮化物半导体衬底的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述氮化物半导体衬底的制备方法，其特征在于，所述图形化结构(2)的水平截面形状为三角形、圆形、椭圆形、多边形、长条形和网状等中任意一种形状，所述截面平行于所述衬底(1)。
3.根据权利要求1所述氮化物半导体衬底的制备方法，其特征在于，所述图形化结构(2)为Ⅲ族氮化物材料，所述图形化结构(2)靠近所述衬底(1)一侧的表面为N面。
4.根据权利要求3所述氮化物半导体衬底的制备方法，其特征在于，所述第二半导体层(4)和所述愈合层(5)为GaN基材料，所述第二...
【技术特征摘要】
1.一种氮化物半导体衬底的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述氮化物半导体衬底的制备方法，其特征在于，所述图形化结构(2)的水平截面形状为三角形、圆形、椭圆形、多边形、长条形和网状等中任意一种形状，所述截面平行于所述衬底(1)。
3.根据权利要求1所述氮化物半导体衬底的制备方法，其特征在于，所述图形化结构(2)为ⅲ族氮化物材料，所述图形化结构(2)靠近所述衬底(1)一侧的表面为n面。
4.根据权利要求3所述氮化物半导体衬底的制备方法，其特征在于，所述第二半导体层(4)和所述愈合层(5)为gan基材料，所述第二半导体层(4)和所述愈合层(5)远离所述衬底(1)一侧的表面为ga面。
5.根据权利要求1所述氮化物半导体衬底的制备方法，其特征在于，所述第二半导体层(4)为纳米线或纳米片结构。
6.根据权利要求1所述氮化物半导体衬底的制备方法，其特征在于，所述愈合层(5)的制备方式为侧向外延合并生长。
7.根据权利要求1所述氮化物半导体衬底的制备方法，其特征在于，所述在所述衬底(1)上制备图形化结构(2)之后，还包括：
【专利技术属性】
技术研发人员：程凯，
申请(专利权)人：苏州晶湛半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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