半导体的形变处理方法技术

本发明专利技术半导体的形变处理方法包括：提供金刚石划线刀以及待处理的半导体，所述半导体具有相对的第一表面和第二表面；以及所述金刚石划线刀在所述半导体的所述第一表面进行多次划线以使所述第一表面向所述第二表面发生形变而形成曲面；其中，所述划线包括控制所述金刚石划线刀沿所述第一表面的水平方向、竖直方向以及与水平方向呈倾斜角度的方向进行多次划线。通过金刚石划线刀使半导体在预定位置形成曲面，以符合生产的需要，该方法简单高效、成本低。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体的形变处理方法。

技术介绍

1、在微电子行业中，基于不同的生产需要，半导体的外形各不相同，某些情况下需要半导体呈曲面状或圆弧状或球状。现有的加工方法是采用半球形的研磨盘进行加工，使之形成曲面。然而在加工过程中，所面临的问题通常是研磨盘制造成本高，研磨的精度不够，难以获得良好的曲面或球面效果。另外一种加工方法是用激光进行修正，优化其形变。虽然精确度可得到一定的改善，但是效率低，无法满足当前的加工要求。

2、因此，亟待提供一种改进的半导体的形变处理方法以克服以上缺陷。

技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供一种改进的半导体的形变处理方法，通过金刚石划线刀使半导体在预定位置形成曲面，以符合生产的需要，该方法简单高效、成本低。

2、为实现上述目的，半导体的形变处理方法，包括：

3、提供金刚石划线刀以及待处理的半导体，所述半导体具有相对的第一表面和第二表面；以及

4、所述金刚石划线刀在所述半导体的所述第一表面进行多次划线本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体的形变处理方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的半导体的形变处理方法，其特征在于，所述金刚石划线刀的气动气压调整范围为150-650Mpa。

3.如权利要求1所述的半导体的形变处理方法，其特征在于，所述金刚石划线刀的所述倾斜角度的调整范围为25-45°。

4.如权利要求1所述的半导体的形变处理方法，其特征在于，所述金刚石划线刀沿水平方向划线包括：控制所述金刚石划线刀的气动气压调整为550-650Mpa，划线深度为0.2-0.25mm，划线长度为0.8-1.2mm。

5.如权利要求1所述的半导体的形变处理方法，其特征在...

【技术特征摘要】

1.一种半导体的形变处理方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的半导体的形变处理方法，其特征在于，所述金刚石划线刀的气动气压调整范围为150-650mpa。

3.如权利要求1所述的半导体的形变处理方法，其特征在于，所述金刚石划线刀的所述倾斜角度的调整范围为25-45°。

4.如权利要求1所述的半导体的形变处理方法，其特征在于，所述金刚石划线刀沿水平方向划线包括：控制所述金刚石划线刀的气动气压调整为550-650mpa，划线深度为0.2-0.25...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘晓明，
申请(专利权)人：东莞新科技术研究开发有限公司，
类型：发明
国别省市：