【技术实现步骤摘要】
本公开涉及一种封装结构，具体地说，涉及一种包含具有不同密度的引线的封装结构。
技术介绍
1、方形扁平无引线(qfn)结构一直在发展以满足更多引线的需求。在封装结构中容纳更多引线的一种方法是减小引线的大小。然而，引线应具有足够的接合区域(其受限于楔形接合工具的对准限制)，以确保接合线可恰当地接合到引线。为了实现例如高输入/输出(i/o)、高产率生产等要求，需要新型封装结构。
技术实现思路
1、根据本公开的一些实施例，一种封装结构包含裸片接合区和第一引线区。所述第一引线区沿着第一方向延伸。所述第一方向沿着所述裸片接合区的第一边缘。所述第一引线区包含第一高密度引线区和第一低密度引线区。所述第一高密度引线区在所述第一方向上与所述第一低密度引线区重叠。
2、根据本公开的一些实施例，一种封装结构包含裸片焊盘和第一引线区。第一引线区位于裸片焊盘的第一侧。第一引线区包含第一内部区和第一外部区。第一内部区比第一外部区更靠近裸片焊盘。多个第一引线安置在第一引线区内且从第一外部区延伸到第一内部区。第...
【技术保护点】
1.一种封装结构，其包括：
2.根据权利要求1所述的封装结构，其中所述第一高密度引线区比所述第一低密度引线区更靠近所述第一引线区的末端部分。
3.根据权利要求2所述的封装结构，其中所述第一高密度引线区包括具有第一间距的多个第一引线，所述第一低密度引线区包括具有大于所述第一间距的第二间距的多个第二引线。
4.根据权利要求3所述的封装结构，其中所述第一引线区具有接近所述裸片接合区的内部区和远离所述裸片接合区的外部区，并且所述外部区中的所述多个第一引线的间距基本上等于所述外部区中的所述多个第二引线的间距。
5.根据权利要求4所...
【技术特征摘要】
1.一种封装结构，其包括：
2.根据权利要求1所述的封装结构，其中所述第一高密度引线区比所述第一低密度引线区更靠近所述第一引线区的末端部分。
3.根据权利要求2所述的封装结构，其中所述第一高密度引线区包括具有第一间距的多个第一引线，所述第一低密度引线区包括具有大于所述第一间距的第二间距的多个第二引线。
4.根据权利要求3所述的封装结构，其中所述第一引线区具有接近所述裸片接合区的内部区和远离所述裸片接合区的外部区，并且所述外部区中的所述多个第一引线的间距基本上等于所述外部区中的所述多个第二引线的间距。
5.根据权利要求4所述的封装结构，其中所述内部区中的所述多个第一引线的间距小于所述内部区中的所述多个第二引线的间距。
6.根据权利要求1所述的封装结构，其中所述第一低密度引线区比所述第一高密度引线区更靠近所述裸片接合区的所述第一边缘的中心。
7.根据权利要求1所述的封装结构，其中所述第一引线区进一步包括在所述第一方向上与所述第一低密度引线区重叠的第二高密度引线区，并且其中所述第一低密度引线区在所述第一高密度引线区与所述第二高密度引线区之间。
8.根据权利要求3所述的封装结构，其进一步包括：
9.根据权利要求3所述的封装结构，其中所述多个第一引线...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈奕任，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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