【技术实现步骤摘要】
本专利技术构思涉及集成电路(ic)器件，更具体地，涉及一种包括背侧接触结构的ic器件。
技术介绍
1、由于电子技术的发展，ic器件的降尺寸(downscaling)已经迅速地进步。因为工作速度高且工作准确度高的高度降尺寸的ic器件是所希望的，所以在相对较小的区域内包括具有稳定且优化的布置结构的导电线的布线结构是有益的。
技术实现思路
1、本专利技术构思提供了一种集成电路(ic)器件，所述ic器件包括随降尺寸趋势而布置在减小的区域中的多个布线结构。所述ic器件可以具有能够通过确保各个布线结构之间的足够绝缘距离来减少或抑制寄生电容发生的结构，并且可以具有如下的结构，在该结构中可以容易地形成被配置为向所述ic器件的源极/漏极区供应电力和/或信号的布线。
2、根据本专利技术构思的一个方面，提供了一种ic器件，所述ic器件包括：绝缘结构；源极/漏极区，所述源极/漏极区位于所述绝缘结构上；成对的底半导体片，所述成对的底半导体片位于所述绝缘结构上，所述成对的底半导体片在第一水平方向上彼此间隔...
【技术保护点】
1.一种集成电路器件，所述集成电路器件包括：
2.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，所述第一接触部分直接接触所述第二接触部分，
3.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，所述第一接触部分直接接触所述第二接触部分，并且
4.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，所述背侧接触结构的所述第一接触部分包括与所述绝缘结构接触的第一侧壁，所述第一侧壁包括第一倾斜表面，并且所述第一倾斜表面和所述背侧接触结构的中心轴线在所述第一水平方向上的距离朝向所述源极/漏极区增大，其中，所述背侧接触结构的所述中心轴线在所述垂直方向上延伸，并且
...【技术特征摘要】
1.一种集成电路器件，所述集成电路器件包括：
2.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，所述第一接触部分直接接触所述第二接触部分，
3.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，所述第一接触部分直接接触所述第二接触部分，并且
4.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，所述背侧接触结构的所述第一接触部分包括与所述绝缘结构接触的第一侧壁，所述第一侧壁包括第一倾斜表面，并且所述第一倾斜表面和所述背侧接触结构的中心轴线在所述第一水平方向上的距离朝向所述源极/漏极区增大，其中，所述背侧接触结构的所述中心轴线在所述垂直方向上延伸，并且
5.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，所述背侧接触结构的所述第一接触部分包括与所述绝缘结构接触的第一侧壁，
6.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，所述绝缘结构包括：
7.根据权利要求1所述的集成电路器件，所述集成电路器件还包括：
8.根据权利要求1所述的集成电路器件，所述集成电路器件还包括位于所述成对的栅极线与所述成对的沟道区之间的成对的栅极电介质膜，
9.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，所述成对的沟道区中的每一者包括至少一个纳米片，并且
10.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，所述源极/漏极区包括与所述背侧接触结构接触的阻挡层和与所述背侧接触结构间隔开的主体层，并且
11.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，所述源极/漏极区包括碳化硅层，并且所述背侧接触结构与所述碳化硅层接触。
<...【专利技术属性】
技术研发人员：卢炫昊，慎一揆，金相溶，金瑜彬，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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