基板处理装置、基板处理方法、半导体装置的制造方法以及记录介质制造方法及图纸

提供在基板的处理工序中可减少基板的剩余待机时间的技术。具有：可进行包含加热基板的处理的基板处理的处理室；支承基板的晶舟；具有多个支承所述晶舟的晶舟支承部，可使该晶舟支承部公转的公转部；在具有所述公转部上方的区域内配置于所述处理室的下方的第一区域、可使加热处理后的基板待机的第二区域、可在与邻接的搬送室间移载基板的第三区域的移载室；可在所述第二区域中对基板进行冷却处理的冷却部；可控制为根据所述处理室中的基板的基板处理的结束时刻与所述第二区域中的基板的冷却处理的结束时刻之差由所述公转部进行使基板从所述第二区域向所述第三区域公转的公转动作或进行使基板从所述处理室向所述第一区域移动的移动动作的控制部。

【技术实现步骤摘要】

本公开的技术涉及基板处理装置、基板处理方法、半导体装置的制造方法以及记录介质。

技术介绍

1、作为在半导体装置的制造工序中使用的基板处理装置的一方式，例如存在在移载室中配置多个晶舟的装置(例如参照专利文献1)。配置于移载室的晶舟向移载室上方的处理室移动，进行包含加热处理的基板处理，之后，返回到移载室进行冷却处理。

2、现有技术文献

3、专利文献1：日本特开2007-242789号公报

技术实现思路

1、专利技术要解决的课题

2、根据处理室中的包含基板的加热处理的基板处理的结束时刻和移载室中的基板的冷却处理的结束时刻的不同，可以认为基板的剩余待机时间变多。

3、本公开提供一种能够在基板的处理工序中减少基板的剩余待机时间的技术。

4、用于解决课题的手段

5、根据本公开的一方式，提供一种技术，具有：

6、处理室，其能够进行包含对基板进行加热的处理的基板处理；

7、晶舟，其支承所述基板；

8、公转部，其具有支承本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基板处理装置，其特征在于，具有：

2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

5.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

6.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

7.根据权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，

8.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

9.根据权利要求8所述的基板处理装置，其特征在于，

10.根据权利要求8所述的基...

【技术特征摘要】

1.一种基板处理装置，其特征在于，具有：

2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

5.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

6.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

7.根据权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，

8.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

9.根据权利要求8所述的基板处理装置，其特征在于，

10.根据权利要求8所述的基板处理装置，其特征在于，

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【专利技术属性】
技术研发人员：板谷秀治，大桥直史，
申请(专利权)人：株式会社国际电气，
类型：发明
国别省市：