【技术实现步骤摘要】
本公开涉及一种电子部件及片式压敏电阻器(chip varistor)。
技术介绍
1、目前,作为具有在素体的一对端面分别设置有端面电极并且在一对侧面分别设置有侧面电极的结构的电子部件,已知有电容器(下述专利文献1)或片式压敏电阻器(下述专利文献2)。
2、现有技术文献
3、专利文献
4、专利文献1:日本特开2015-84399号公报
5、专利文献2:日本特开2017-204547号公报
技术实现思路
1、专利技术所要解决的技术问题
2、在具有上述的结构的电子部件中,随着电子设备的小型化,对小型化或低高度化的要求提高。如果随着电子部件的小型化或低高度化而端面电极彼此接近,则变得容易产生端面电极间的短路或部件特性的变动风险,因此需要确保充分的电极间距离。另一方面,如果不能充分地确保设置于素体的侧面的侧面电极,则引出到侧面的内部电极的覆盖性降低。
3、专利技术人对端面电极和侧面电极的结构进行反复研究,其结果,新发现了一种能够
...【技术保护点】
1.一种电子部件,其中,
2.根据权利要求1所述的电子部件,其中,
3.根据权利要求1或2所述的电子部件,其中,
4.根据权利要求1~3中任一项所述的电子部件,其中,
5.一种片式压敏电阻器,其中,
【技术特征摘要】
1.一种电子部件,其中,
2.根据权利要求1所述的电子部件,其中,
3.根据权利要求1或2所述的电子...
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