【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体装置制造及集成电路，尤其涉及包括场效应晶体管的结构以及形成包括场效应晶体管的结构的方法。
技术介绍
1、低噪声放大器是用于射频集成电路中的电子装置，它能够放大低功率信号而不会显著降低信噪比。功率放大器是用于射频集成电路中的电子装置，它能够高效放大低功率信号。低噪声放大器及功率放大器在其构造中可包括多指型场效应晶体管(multiple-finger field-effect transistor)。将栅极接触件置于该场效应晶体管的主动区上方可有效降低栅极电阻，但可能需要特殊的实施措施。添加本体接触件可允许位于主动区中的该场效应晶体管的本体被偏置。然而，该本体接触件可能引起该场效应晶体管的阈值频率降低。
2、需要改进的包括场效应晶体管的结构以及形成包括场效应晶体管的结构的方法。
技术实现思路
1、在本专利技术的一个实施例中，一种结构包括位于衬底中的沟槽隔离区，以及延伸穿过该沟槽隔离区至该衬底的本体接触区。该结构还包括场效应晶体管，该场效应晶体管包括栅极连接器、自...
【技术保护点】
1.一种结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的结构，其特征在于，还包括：
3.如权利要求1所述的结构，其特征在于，还包括：
4.如权利要求3所述的结构，其特征在于，该第一沟槽隔离区包括介电材料，且该第一本体接触区通过该第一沟槽隔离区的该介电材料与该第二本体接触区隔开。
5.如权利要求3所述的结构，其特征在于，该第一本体接触区邻近该第二本体接触区设置，且该第一栅极接触件设置于该第一本体接触件与该第二本体接触件间。
6.如权利要求3所述的结构，其特征在于，该第一本体接触区邻近该第二本体接触区设置，且该第...
【技术特征摘要】
1.一种结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的结构，其特征在于，还包括：
3.如权利要求1所述的结构，其特征在于，还包括：
4.如权利要求3所述的结构，其特征在于，该第一沟槽隔离区包括介电材料，且该第一本体接触区通过该第一沟槽隔离区的该介电材料与该第二本体接触区隔开。
5.如权利要求3所述的结构，其特征在于，该第一本体接触区邻近该第二本体接触区设置，且该第一栅极接触件设置于该第一本体接触件与该第二本体接触件间。
6.如权利要求3所述的结构，其特征在于，该第一本体接触区邻近该第二本体接触区设置，且该第一本体接触件设置于该第一栅极接触件与该第二本体接触件间。
7.如权利要求3所述的结构，其特征在于，还包括：
8.如权利要求7所述的结构，其特征在于，该第一本体接触件、该第二本体接触件、该第一栅极接触件、以及该第二栅极接触件沿该第一栅极连接器的长度呈阵列交错。
9.如权利要求1所述的结构，其特征在于，还包括：
10.如权利要求9所述的结构...
【专利技术属性】
技术研发人员：文卡塔·N·R·法努卡鲁，S·M·尚克，
申请(专利权)人：格芯美国集成电路科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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