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本发明涉及具有交错的本体接触件与栅极接触件的晶体管结构，揭示包括场效应晶体管的结构以及形成包括场效应晶体管的结构的方法。该结构包括位于衬底中的沟槽隔离区，以及延伸穿过该沟槽隔离区至该衬底的本体接触区。该结构还包括场效应晶体管，该场效应晶体管...
该专利属于格芯（美国）集成电路科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过格芯（美国）集成电路科技有限公司授权不得商用。

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