半导体装置封装及其制造方法制造方法及图纸

技术编号:42113834 阅读:24 留言:0更新日期:2024-07-25 00:34
提供了一种半导体装置封装及其制造方法。所述半导体装置封装包含衬底、电子组件、中间结构和保护层。所述电子组件安置在所述衬底上方。所述中间结构安置在所述衬底上方,且包括插入件和所述插入件上的导电元件。所述保护层安置在所述衬底上方,且具有覆盖所述电子组件且与所述导电元件的上表面大体上齐平的上表面。

【技术实现步骤摘要】

本公开尤其涉及一种半导体装置封装及其制造方法,以及一种具有中间结构的半导体装置封装。


技术介绍

1、在小型化的趋势下,为了减小半导体封装的厚度,可使半导体封装的安装侧变薄直到安置于安装侧上的裸片暴露为止。

2、然而,使半导体封装的安装侧变薄可导致裸片与半导体封装的安装侧处的安装原料之间的开裂或分层。因此,重要的是使具有某一厚度(约100um)的半导体具有细间距i/o。


技术实现思路

1、根据本公开的一个示例实施例,一种电子装置包含衬底、电子组件、中间结构和保护层。所述电子组件安置在衬底上方。所述中间结构安置在衬底上方,且包括插入件和插入件上的导电元件。所述保护层安置在衬底上方,且具有覆盖电子组件且与导电元件的上表面大体上齐平的上表面。

2、根据本公开的另一示例实施例,一种电子装置包含衬底、电子组件、插入件和不可回焊元件。所述电子组件和插入件安置在衬底上方。所述不可回焊元件安置在衬底上方。所述不可回焊元件配置成经由所述插入件和所述衬底电连接到所述电子组件。

>3、根据本公开的另本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种电子装置,其包括:

2.根据权利要求1所述的电子装置,其中所述保护层的所述上表面的水平位置在所述中间结构的最上表面与所述至少一个导电元件的下表面之间。

3.根据权利要求2所述的电子装置,其中所述电子组件的上表面低于所述至少一个导电元件的所述下表面。

4.根据权利要求1所述的电子装置,其中所述至少一个导电元件通过第一电连接件连接到所述插入件。

5.根据权利要求1所述的电子装置,其中所述插入件通过第二电连接件连接到载体,并且其中所述至少一个导电元件的材料不同于所述第二电连接件的材料。

6.根据权利要求4所述的电子装置,其中所...

【技术特征摘要】

1.一种电子装置,其包括:

2.根据权利要求1所述的电子装置,其中所述保护层的所述上表面的水平位置在所述中间结构的最上表面与所述至少一个导电元件的下表面之间。

3.根据权利要求2所述的电子装置,其中所述电子组件的上表面低于所述至少一个导电元件的所述下表面。

4.根据权利要求1所述的电子装置,其中所述至少一个导电元件通过第一电连接件连接到所述插入件。

5.根据权利要求1所述的电子装置,其中所述插入件通过第二电连接件连接到载体,并且其中所述至少一个导电元件的材料不同于所述第二电连接件的材料。

6.根据权利要求4所述的电子装置,其中所述至少一个导电元件的电导率大于所述第二电连接件的电导率。

7.根据权利要求1所述的电子装置,其中所述至少一个导电元件从所述插入件朝向所述保护层的所述上表面逐渐变窄。

8.根据权利要求1所述的电子装置,其中多个所述导电元件在所述插入件上方,并且其中所述导电元件之间的距离从所述插入件朝向所述保护层的所述上表面逐渐变大。

9.根据权利要求1所述的电子装置,其中在所述导电元件与所述保护层之间形成间隙。

10.根据权利要求8所述的电子装置,其进一步包括填充于所述间隙中的第三电连接件,其中所述第三电连接件具有从所述保护层突出的部分。

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【专利技术属性】
技术研发人员:陈昱敞张维栋高仁杰
申请(专利权)人:日月光半导体制造股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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