三维堆叠芯片结构及封装器件制造技术

本申请公开了三维堆叠芯片及封装器件，属于电气技术领域。该三维堆叠芯片结构包括：三维堆叠芯片、外导热件和内导热件；三维堆叠芯片包括沿第一方向依次堆叠的多个芯片；外导热件的导热系数大于芯片基体的导热系数，外导热件连接于三维堆叠芯片的外侧表面且沿着第一方向延伸；内导热件位于芯片的基体内且沿着第二方向延伸至基体的外侧表面，内导热件的端部与外导热件热导通。外导热件和内导热件协同作用，不仅解决了三维堆叠芯片在第一方向上的散热路径较长的问题，且解决了单一芯片自身温差较大的问题，这利于同时实现对多个芯片的有效散热，有效提升了芯片的功率上限值，这样，三维堆叠芯片结构能够高效散热，利于其高集成度发展。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及电气，特别涉及三维堆叠芯片结构及封装器件。

技术介绍

1、三维堆叠芯片通常由多个芯片堆叠在一起，由于三维堆叠布置，使得芯片的热量难以散出，导致三维堆叠芯片的结温较高，容易导致芯片失效，这限制了三维堆叠芯片的高集成度发展。

2、相关技术中，通过使用诸如铜之类的热沉(heat sink，hs)来对芯片进行散热，其中，热沉和芯片之间填充有热界面材料(thermal interface material，tim)。

3、然而，上述热沉-热界面材料-芯片依次接触实现散热的方式，存在界面热阻问题，而且对三维堆叠芯片中的内部芯片的散热效果有限，对三维堆叠芯片的整体散热问题改善有限。

4、公开内容

5、鉴于此，本公开提供了三维堆叠芯片结构及封装器件，能够解决相关技术中存在的上述技术问题。具体而言，包括以下的技术方案：

6、一方面，本公开实施例提供了一种三维堆叠芯片结构，所述三维堆叠芯片结构包括：三维堆叠芯片、外导热件和内导热件；

7、所述三维堆叠芯片包括沿第一方向依次堆叠的多个芯片；

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种三维堆叠芯片结构，其特征在于，所述三维堆叠芯片结构包括：三维堆叠芯片(1)、外导热件(2)和内导热件(3)；

2.根据权利要求1所述的三维堆叠芯片结构，其特征在于，所述外导热件(2)的导热系数大于或等于700W/mK。

3.根据权利要求1所述的三维堆叠芯片结构，其特征在于，所述外导热件(2)的材质选自金刚石、金刚石-铜复合材料、金刚石-银复合材料、金刚石-铝复合材料、蓝宝石中的至少一种。

4.根据权利要求1所述的三维堆叠芯片结构，其特征在于，所述外导热件(2)与所述三维堆叠芯片(1)之间为键合连接、焊接连接中的至少一种。p>

5.根据权...

【技术特征摘要】

1.一种三维堆叠芯片结构，其特征在于，所述三维堆叠芯片结构包括：三维堆叠芯片(1)、外导热件(2)和内导热件(3)；

2.根据权利要求1所述的三维堆叠芯片结构，其特征在于，所述外导热件(2)的导热系数大于或等于700w/mk。

3.根据权利要求1所述的三维堆叠芯片结构，其特征在于，所述外导热件(2)的材质选自金刚石、金刚石-铜复合材料、金刚石-银复合材料、金刚石-铝复合材料、蓝宝石中的至少一种。

4.根据权利要求1所述的三维堆叠芯片结构，其特征在于，所述外导热件(2)与所述三维堆叠芯片(1)之间为键合连接、焊接连接中的至少一种。

5.根据权利要求1所述的三维堆叠芯片结构，其特征在于，所述三维堆叠芯片(1)的所有外侧表面上均连接有所述外导热件(2)。

6.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：魏潇赟，杨勇，邓抄军，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：