半导体激光器元件、光学装置以及半导体激光器元件的控制方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种半导体激光器元件、光学装置以及半导体激光器元件的控制方法，能够抑制光的吸收以及漏电流。半导体激光器元件具备：激光器区域，包含有源层，且生成光；放大区域，与所述激光器区域相邻，包含所述有源层，且放大所述光；以及电极，设置于从所述激光器区域到所述放大区域的范围。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及半导体激光器元件、光学装置以及半导体激光器元件的控制方法。

技术介绍

1、已知集成有多个元件的半导体激光器元件(专利文献1等)。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：美国专利申请公开第2012/0243074号说明书

技术实现思路

1、专利技术所要解决的问题

2、例如，作为分布式反馈(dfb：distributed feedback)激光器而发挥功能的区域和作为半导体光放大器(soa：semiconductor optical amplifier)而发挥功能的区域被集成在一个元件中。dfb激光器区域的电极与soa区域的电极分离。由于位于电极之间的半导体层不被注入电流，因此容易吸收光。由于吸收光，光的损失增大。通过减小电极的间隔，能够抑制光的损失。但是，电极间的绝缘电阻减小，漏电流增加。因此，本公开的目的在于提供一种能够抑制光的吸收以及漏电流的半导体激光器元件、光学装置以及半导体激光器元件的控制方法。

3、用于解决问题的手段...

【技术保护点】

1.一种半导体激光器元件，其中，

2.根据权利要求1所述的半导体激光器元件，其中，

3.根据权利要求1或2所述的半导体激光器元件，其中，

4.根据权利要求3所述的半导体激光器元件，其中，

5.根据权利要求3所述的半导体激光器元件，其中，

6.一种光学装置，其中，

7.根据权利要求6所述的光学装置，其中，

8.一种半导体激光器元件的控制方法，其中，

【技术特征摘要】

1.一种半导体激光器元件，其中，

2.根据权利要求1所述的半导体激光器元件，其中，

3.根据权利要求1或2所述的半导体激光器元件，其中，

4.根据权利要求3所述的半导体激光器元件，...

【专利技术属性】
技术研发人员：井上大辅，
申请(专利权)人：住友电气工业株式会社，
类型：发明
国别省市：