改善因形成浅沟槽隔离结构而产生的缺陷的方法技术

本发明专利技术提供一种改善因形成浅沟槽隔离结构而产生的缺陷的方法，所述方法包括：提供一半导体结构，其包括衬底、浅沟槽、栅极结构，其中，所述浅沟槽形成于所述衬底内并将所述衬底划分出多个有源区，所述栅极结构形成于各有源区的所述衬底的表面，且各栅极结构之间的间隔与所述浅沟槽连通形成深沟槽；于所述深沟槽内进行聚硅氮烷的填充，且所述聚硅氮烷延伸至所述深沟槽以外区域的表面；于所述聚硅氮烷的表面形成保护层；对所述聚硅氮烷进行退火工艺。通过本发明专利技术改善现有的利用聚氮硅烷填充形成STI时易产生污染的问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成电路制造，特别是涉及一种改善因形成浅沟槽隔离结构而产生的缺陷的方法。

技术介绍

1、nand flash process sti制程因为其很高的深宽比，传统工艺无法满足其填充需求，所以业界一般都采用psz工艺来对sti区域进行填充。psz工艺采用phps(聚硅氮烷)，副产物nh3等会在沉积之后逐渐析出。而析出的nh3与大气中的co2、水汽反应，从而吸附在表面，产生类似于pillar defect(如图1所示)，从而污染foup(传送盒)；而且，由于后续的高温退火(anneal)会加剧nh3的析出，nh3吸附在腔室(chamber)内部，从而造成退火腔室的污染。

技术实现思路

1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种改善因形成浅沟槽隔离结构而产生的缺陷的方法，用于改善现有的利用聚氮硅烷填充形成sti时易产生污染的问题。

2、为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种改善因形成浅沟槽隔离结构而产生的缺陷的方法，所述方法包括：

3、提供一半导体结构本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种改善因形成浅沟槽隔离结构而产生的缺陷的方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的改善因形成浅沟槽隔离结构而产生的缺陷的方法，其特征在于，所述保护层的厚度包括

3.根据权利要求1或2所述的改善因形成浅沟槽隔离结构而产生的缺陷的方法，其特征在于，于所述聚硅氮烷的表面形成保护层的方法包括：利用O2处理工艺对所述聚硅氮烷表面进行氧化以形成所述保护层。

4.根据权利要求3所述的改善因形成浅沟槽隔离结构而产生的缺陷的方法，其特征在于，所述保护层包括二氧化硅。

5.根据权利要求3所述的改善因形成浅沟槽隔离结构而产生的缺陷的方法，其...

【技术特征摘要】

1.一种改善因形成浅沟槽隔离结构而产生的缺陷的方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的改善因形成浅沟槽隔离结构而产生的缺陷的方法，其特征在于，所述保护层的厚度包括

3.根据权利要求1或2所述的改善因形成浅沟槽隔离结构而产生的缺陷的方法，其特征在于，于所述聚硅氮烷的表面形成保护层的方法包括：利用o2处理工艺对所述聚硅氮烷表面进行氧化以形成所述保护层。

4.根据权利要求3所述的改善因形成浅沟槽隔离结构而产生的缺陷的方法，其特征在于，所述保护层包括二氧化硅。

5.根据权利要求3所述的改善因形成浅沟槽隔离结构而产生的缺陷的方法，其特征在于，o2处理工艺的处理条件包括：压力包括1torr～3torr，温度包括200℃～350℃，射频功率包括400w～1000w，o2的流量包括500sccm～1500sccm。

6.根据权利要求1所述的改善因形成浅沟槽隔离结构而产生的缺陷的方法，其特征在于，在填充所述聚硅氮烷之前，...

【专利技术属性】
技术研发人员：谭国志，王平，曾招钦，鲍宇，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：