温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供一种改善因形成浅沟槽隔离结构而产生的缺陷的方法，所述方法包括：提供一半导体结构，其包括衬底、浅沟槽、栅极结构，其中，所述浅沟槽形成于所述衬底内并将所述衬底划分出多个有源区，所述栅极结构形成于各有源区的所述衬底的表面，且各栅极结构之...
该专利属于上海华力集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力集成电路制造有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。