一种以硅烷丙烷为原料化学气相沉积制备碳化硅晶体的方法技术

本发明专利技术提供了一种以硅烷丙烷为原料化学气相沉积制备碳化硅晶体的方法，以硅烷丙烷为原料，化学气相沉积得到。具体地，将籽晶置于CVD沉积炉中，抽真空，升温，旋转籽晶，通入气体混合物，进行化学气相沉积，即得碳化硅晶体。本发明专利技术所得碳化硅晶体纯度高，可用于功率器件或射频器件的制备。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及碳化硅晶体制备，特别地，涉及一种以硅烷丙烷为原料化学气相沉积制备碳化硅晶体的方法。

技术介绍

1、目前，sic晶体的生长方法主要有物理气相传输法（physical vapor transportmethod, pvt法）。所谓pvt法，是指将sic籽晶放置在坩埚顶部，将sic粉料作为原料放置在坩埚底部，在高温低压的密闭环境下，sic粉料升华，并在温度梯度和浓度差的作用下向上传输至籽晶附近，达到过饱和状态后再结晶的一种方法。该方法可以实现sic晶体尺寸和特定晶型的可控生长。

2、但是，使用pvt法生长sic晶体需要在长时间的生长过程中，始终维持适宜的生长条件，否则会导致晶格紊乱，从而影响晶体的质量。然而，sic晶体的生长是在密闭空间内完成的，有效的监控手段少，变量多，而且不能持续供应原料，因此工艺控制的难度较高，且受限于硅粉和碳粉的纯度，pvt目前很难制备高纯碳化硅晶片。

3、cvd法作为一种采用气相源供料的生长方法可以很好地控制生长过程中的气相成分，且原材料更容易提纯到6n以上，可得到更高纯度的碳化硅晶体，通过调整设备本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种以硅烷丙烷为原料化学气相沉积制备碳化硅晶体的方法，其特征在于，将籽晶置于CVD沉积炉中，抽真空，升温，旋转籽晶，通入气体混合物，进行化学气相沉积，得到碳化硅晶体；其中，化学气相沉积通入氩气、氢气、硅烷、丙烷的混合气体，四者流量分别为3～9L/min：6～18 L/min：1～3 L/min：1～3 L/min；化学气相沉积的温度控制如下：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，氩气、氢气、硅烷、丙烷的流量分别为3 L/min：6L/min：1L/min：1L/min。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，化学气相沉积的温度控制如下：

...

【技术特征摘要】

1.一种以硅烷丙烷为原料化学气相沉积制备碳化硅晶体的方法，其特征在于，将籽晶置于cvd沉积炉中，抽真空，升温，旋转籽晶，通入气体混合物，进行化学气相沉积，得到碳化硅晶体；其中，化学气相沉积通入氩气、氢气、硅烷、丙烷的混合气体，四者流量分别为3～9l/min：6～18 l/min：1～3 l/min：1～3 l/min；化学气相沉积的温度控制如下：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，氩气、氢气、硅烷、丙烷的流量分别为3 l/min：6l/min：1l/min：1l/min。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，化学气相沉积的温度控制如下：

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在cvd沉积炉的炉膛内设置籽晶旋转托，将籽晶置于旋转托上，关闭炉门，抽真空测升压率。

5.根据权利要求4所述的方法，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：肖慈伟，张继斌，
申请(专利权)人：湖南元墨科技有限公司，
类型：发明
国别省市：