一种长晶炉压力控制器自动修复系统及方法技术方案

本发明专利技术提供一种长晶炉压力控制器自动修复系统及方法，属于碳化硅生长及外延技术领域，所述系统包括工控计算机、控制扩展模块、截止阀、真空泵和压力控制器接口；控制扩展模块与工控计算机、截止阀、真空泵均连接；工控计算机还与压力控制器接口连接；截止阀一端与大气连通，另一端通过第一气体管路与压力控制器接口连接，压力控制器通过第二气体管路与真空泵连接；第一气体管路上设有压力传感器，压力传感器与压力控制器接口连接；压力控制器接口连接有压力控制器；工控计算机向压力控制器发送磨合指令，并在磨合指令完成后验证压力控制器的密封性，进行压力控制器参数配置修复。本发明专利技术实现压力控制器密封圈的自动磨合修复过程，高效快捷。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于碳化硅生长及外延，具体涉及一种长晶炉压力控制器自动修复系统及方法。

技术介绍

1、长晶炉是一种用于半导体晶体生长的设备，通过将原料在炉体内高温熔化，在真空环境和氩气保护下插入籽晶进行半导体晶体的结晶生成。由于晶体生长过程的真空要求，压力控制器成为长晶炉的核心部件。而压力控制器通过内部碟片带动密封圈在晶体生长过程进行开度的调节以确保长晶炉体内的真空压力需求。而在晶体生长过程中，压力控制器需要进行数万次的瞬间开度大小变化以及瞬间开关变化，导致密封圈成为易耗件。

2、长晶炉的压力控制器价格昂贵，原装密封圈更换维修需要返原厂成本高，周期长且维修质量无法保证，影响长晶炉的使用并增加晶体生产成本，因此不可取。当前普遍的替代方式是为长晶炉的压力控制器定制普通密封圈进行自行更换，由于普通密封圈与压力控制器不能完全匹配，需要人工手动多次磨合并反复安装到长晶炉上测试，直至测试正常后才可进行生产使用，此种方式也存在维修速度慢，效率低的问题。

3、此为现有技术的不足，因此，针对现有技术中的上述缺陷，提供一种长晶炉压力控制器自动修复系统及方法，本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种长晶炉压力控制器自动修复系统，其特征在于，包括工控计算机、控制扩展模块、截止阀、真空泵和压力控制器接口；

2.如权利要求1所述的长晶炉压力控制器自动修复系统，其特征在于，第一气体管路上设有两个压力传感器，为第一压力传感器和第二压力传感器；

3.如权利要求1所述的长晶炉压力控制器自动修复系统，其特征在于，控制扩展模块与真空泵的控制线路上设有继电器；

4.如权利要求3所述的长晶炉压力控制器自动修复系统，其特征在于，工控计算机上设有磨合控制模块、状态显示模块、修复过程保存模块、参数配置模块；磨合控制模块，用于向压力控制器发送磨合指令，控制压力控制器进...

【技术特征摘要】

1.一种长晶炉压力控制器自动修复系统，其特征在于，包括工控计算机、控制扩展模块、截止阀、真空泵和压力控制器接口；

2.如权利要求1所述的长晶炉压力控制器自动修复系统，其特征在于，第一气体管路上设有两个压力传感器，为第一压力传感器和第二压力传感器；

3.如权利要求1所述的长晶炉压力控制器自动修复系统，其特征在于，控制扩展模块与真空泵的控制线路上设有继电器；

4.如权利要求3所述的长晶炉压力控制器自动修复系统，其特征在于，工控计算机上设有磨合控制模块、状态显示模块、修复过程保存模块、参数配置模块；磨合控制模块，用于向压力控制器发送磨合指令，控制压力控制器进行设定次数的持续开关操作；

【专利技术属性】
技术研发人员：史建伟，宋建，袁祥瑞，杨振鲁，赵光利，
申请(专利权)人：山东天岳先进科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：