一种仅边缘处存在小面的SiC晶体及其晶片和半导体器件制造技术

本发明专利技术提供了一种仅边缘处存在小面的SiC晶体及其晶片和半导体器件，涉及碳化硅晶片技术领域。SiC晶体采用PVT法直接生长得到且未经后续加工，所述SiC晶体含有小面区域和非小面区域；小面区域位于SiC晶体的外圆周端面，所述小面区域全面积范围内的性质满足以下a～b中的任意一项或两项：a、小面区域的掺杂浓度变化率是非小面区域掺杂浓度变化率的1.5倍以上；b、小面区域的载流子浓度变化率是非小面区域载流子浓度变化率的5倍以上。降低了碳化硅晶体的生产成本，同时保证得到缺陷少且高均匀性的碳化硅晶体。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及碳化硅晶片，具体来讲，涉及一种仅边缘处存在小面的sic晶体及其晶片和半导体器件。

技术介绍

1、目前，碳化硅晶体产业的大规模应用面临的两个主要问题：1、质量问题，影响碳化硅器件端的良率、性能和可靠性；2、成本问题，影响碳化硅在终端的应用。其中，材料质量导致的材料和器件良率损失也是导致碳化硅目前成本高、应用难的主要原因。

2、碳化硅的质量问题包括两类：一是缺陷问题导致的材料质量和良率等显性质量问题；二是一致性问题导致的材料良率和器件性能等可靠性问题。其中，小面是升华法制备sic晶体时的固有属性，常规物理气相输运法(简称pvt)制备的sic晶体和晶片上都会存在这样的小面，小面区域相较于其他区域具有更高的掺杂浓度，因此，小面区域载流子浓度和电阻率显著不同于其他区域，导致小面区域电学性能和缺陷状态容易出现异常质量问题。

3、其中，小面本领域俗称“生长特征面”、“生长小面”、“特征生长面”等，对应的英文是“facet”，本专利技术中小面不是指生长界面。

4、提高质量、降低成本是碳化硅晶体材料持续发展的目标。特别是在目本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种仅边缘处存在小面的SiC晶体，其特征在于，所述SiC晶体采用PVT法直接生长得到且未经后续加工，所述SiC晶体含有小面区域和非小面区域；小面区域位于SiC晶体的外圆周端面，所述小面区域全面积范围内的性质满足以下a～b中的任意一项或两项：

2.根据权利要求1所述的SiC晶体，其特征在于，小面区域远离外圆周端面的边缘与外圆周端面的距离不超过SiC晶体直径的3％。

3.根据权利要求1所述的SiC晶体，其特征在于，小面区域的最大截面积占晶体沿直径方向横截面面积的10％以下；

4.根据权利要求3所述的SiC晶体，其特征在于，小面区域的最大截面积占晶体沿直...

【技术特征摘要】

1.一种仅边缘处存在小面的sic晶体，其特征在于，所述sic晶体采用pvt法直接生长得到且未经后续加工，所述sic晶体含有小面区域和非小面区域；小面区域位于sic晶体的外圆周端面，所述小面区域全面积范围内的性质满足以下a～b中的任意一项或两项：

2.根据权利要求1所述的sic晶体，其特征在于，小面区域远离外圆周端面的边缘与外圆周端面的距离不超过sic晶体直径的3％。

3.根据权利要求1所述的sic晶体，其特征在于，小面区域的最大截面积占晶体沿直径方向横截面面积的10％以下；

4.根据权利要求3所述的sic晶体，其特征在于，小面区域的最大截面积占晶体沿直径方向横截面面积的5％以下；

5.根据权利要求1所...

【专利技术属性】
技术研发人员：高超，潘亚妮，宁秀秀，高宇晗，杨晓俐，石志强，
申请(专利权)人：山东天岳先进科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：