温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供了一种仅边缘处存在小面的SiC晶体及其晶片和半导体器件，涉及碳化硅晶片技术领域。SiC晶体采用PVT法直接生长得到且未经后续加工，所述SiC晶体含有小面区域和非小面区域；小面区域位于SiC晶体的外圆周端面，所述小面区域全面积范围内...
该专利属于山东天岳先进科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过山东天岳先进科技股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。