一种用于大尺寸重掺单晶硅拉制的石墨坩埚制造技术

技术编号:42083927 阅读:28 留言:0更新日期:2024-07-19 17:00
一种用于大尺寸重掺单晶硅拉制的石墨坩埚,包括埚体,埚体的顶端同轴设置有释放环,释放环的内侧壁与埚体的内侧壁平齐使两者形成能够容纳石英坩埚的容纳空间,释放环的侧壁上开设有贯穿其两个端面的伸缩缝,释放环的环形凸起与埚体的环形槽设计内配合,本技术,有利于释放石英坩埚变形引起的应力,避免石墨坩埚发生崩边和起皮。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及直拉单晶硅生产,具体的说是一种用于大尺寸重掺单晶硅拉制的石墨坩埚


技术介绍

1、石墨坩埚为直拉单晶硅用单晶炉的主要部件,在单晶硅棒的拉制过程中,装有硅原料的石英坩埚加热后软化,石墨坩埚对其具有支撑作用,使软化的石英坩埚在拉晶过程中维持稳定状态,保证单晶正常生长。

2、常规的石墨坩埚为三瓣式结构,即石墨坩埚由三个坩埚块拼接形成并包裹石英坩埚的外壁,三瓣式结构的石墨坩埚能够释放石英坩埚软化膨胀引起的应力。但是,随着重掺低阻产品的需求量增加,且低阻产品拉制过程中掺杂更多的杂质以及设定更高的工艺炉压,例如24吋热场标准装料140kg,相比于20吋热场装料70kg,其相同目标电阻率、不考虑挥发的情况下掺杂量至少提升两倍,即拉制重掺单晶硅的单晶炉内的杂质氛围更加恶劣;同时,石墨坩埚是离加热器最近的部件使其受热温度较大。单晶炉内的杂质氛围恶劣以及石墨坩埚受热温度较大,造成了石墨坩埚冷却后其边缘发生崩边和起皮现象。


技术实现思路

1、为了解决现有技术中石墨坩埚冷却后易出现崩边和起皮的问题,本技术提供一本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种用于大尺寸重掺单晶硅拉制的石墨坩埚,包括埚体(1),其特征在于:埚体(1)的顶端同轴设置有释放环(2),释放环(2)的内侧壁与埚体(1)的内侧壁平齐使两者形成能够容纳石英坩埚(5)的容纳空间,释放环(2)的侧壁上开设有贯穿其两个端面的伸缩缝(3)。

2.如权利要求1所述的一种用于大尺寸重掺单晶硅拉制的石墨坩埚,其特征在于:所述释放环(2)与埚体(1)接触的端面具有与其同轴的环形凸起(203),埚体(1)的顶端开设有与其同轴且能够供环形凸起(203)插入的环形槽(101),环形凸起(203)的侧壁与环形槽(101)的侧壁之间具有间隙(4)。

<p>3.如权利要求1...

【技术特征摘要】

1.一种用于大尺寸重掺单晶硅拉制的石墨坩埚,包括埚体(1),其特征在于:埚体(1)的顶端同轴设置有释放环(2),释放环(2)的内侧壁与埚体(1)的内侧壁平齐使两者形成能够容纳石英坩埚(5)的容纳空间,释放环(2)的侧壁上开设有贯穿其两个端面的伸缩缝(3)。

2.如权利要求1所述的一种用于大尺寸重掺单晶硅拉制的石墨坩埚,其特征在于:所述释放环(2)与埚体(1)接触的端面具有与其同轴的环形凸起(203),埚体(1)的顶端开设有与其同轴且能够供环形凸起(203)插入的环形槽(101),环形凸起(203)的侧壁与环形槽(101)的侧壁之间具有间隙(4)。

3.如权利要求1所述的一种用于大尺寸重掺单晶硅拉制的石墨坩埚,其特征在于:所述释放环(2)的高度为50-60mm。

4.如权利要求1所述的一种用于大尺寸重掺单晶硅拉制的石墨坩埚,其特征在于:所述释放环(2)远离埚体(1)的端面为弧形面(201)。

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【专利技术属性】
技术研发人员:马武祥令狐铁兵范吉祥马三宝张奇方丽霞
申请(专利权)人:麦斯克电子材料股份有限公司
类型:新型
国别省市:

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