【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本领域大体上涉及用于半导体晶片加工的系统及方法，且更特定来说，涉及用于外延反应器中的冷却流体流动的动态控制的系统及方法。
技术介绍
1、外延化学气相沉积(cvd)是一种用于在半导体晶片上生长薄层材料，使得晶格结构相同于晶片的结构的过程。外延cvd广泛用于半导体晶片生产中以积累外延层，使得装置可直接制造于外延层上。外延沉积过程通过将清洁气体(例如氢或氢及氯化氢混合物)引入晶片的前表面(即，背向基座的表面)以预热及清洁晶片的前表面而开始。清洁气体从前表面移除原生氧化物，允许外延硅层在沉积过程的后续步骤期间在表面上连续及均匀地生长。外延沉积过程通过将蒸汽硅源气体(例如硅烷或氯化硅烷)引入晶片的前表面而继续以在前表面上沉积及生长硅的外延层。与基座的前表面相对的后表面可同时经受氢气。在外延沉积期间，支撑沉积腔室中的半导体晶片的基座在过程期间旋转以允许外延层均匀生长。
2、外延cvd在半导体晶片反应器中执行。常规反应器包含其中晶片定位于基座上的反应器腔室。反应器腔室具有含由合适材料(例如石英)制成的上壁及下壁的腔室主体，所述壁界定晶片及...
【技术保护点】
1.一种用于半导体晶片加工的外延反应器系统，所述系统包括：
2.根据权利要求1所述的系统，其中由所述控制器接收到的所述外延加工信息指示特定过程步骤正在所述反应器中执行。
3.根据权利要求2所述的系统，其中所述特定过程步骤是晶片加工步骤及腔室清洁步骤中的一者。
4.根据权利要求2所述的系统，其中由所述控制器接收到的所述外延加工信息指示特定气体配方正在所述特定过程步骤期间使用。
5.根据权利要求1所述的系统，其进一步包括连接到所述控制器的温度传感器，其中所述温度传感器测量所述反应腔室的所述上壁的温度。
6.根据权...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种用于半导体晶片加工的外延反应器系统，所述系统包括：
2.根据权利要求1所述的系统，其中由所述控制器接收到的所述外延加工信息指示特定过程步骤正在所述反应器中执行。
3.根据权利要求2所述的系统，其中所述特定过程步骤是晶片加工步骤及腔室清洁步骤中的一者。
4.根据权利要求2所述的系统，其中由所述控制器接收到的所述外延加工信息指示特定气体配方正在所述特定过程步骤期间使用。
5.根据权利要求1所述的系统，其进一步包括连接到所述控制器的温度传感器，其中所述温度传感器测量所述反应腔室的所述上壁的温度。
6.根据权利要求5所述的系统，其中所述外延加工信息包含与所述上壁的目标温度相关联的信息，且其中所述控制器的所述非暂时性存储器存储指令，当由所述处理器执行时，所述指令使所述控制器：
7.根据权利要求6所述的系统，其中使用比例-积分-微分(pid)控制产生所述经更新鼓风机输出。
8.根据权利要求1所述的系统，其中所述阻尼器位置输出使所述致动器将所述阻尼器定位到与所述外延加工信息相关联的预定位置。
9.一种用于半导体晶片反应器的冷却系统，所述反应器具有反应腔室、上模块及下模块，所述冷却系统包括：
10.根据权利要求9所述的系统，其中所述特定过程步骤是晶片加工步骤及腔室清洁步骤中的一者。
【专利技术属性】
技术研发人员：P·G·波伊，G·菲诺蒂，S·加马拉，
申请(专利权)人：环球晶圆股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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