p型单晶硅的制造方法技术

本发明专利技术涉及p型单晶硅的制造方法。将包含多种多晶硅块的多晶硅原料熔融来制造p型单晶硅，所述制造方法包括如下工序：在所述多晶硅原料熔融时不添加掺杂剂，来制造电阻率为10000Ωcm以上的p型单晶硅，作为所述多晶硅原料，使用如下多晶硅原料：将在多晶硅原料的主体内存在的施主元素的合计浓度设为Cd1[ppta]、在多晶硅原料的主体内存在的受主元素的合计浓度设为Ca1[ppta]、在多晶硅原料的表面存在的施主元素的合计浓度设为Cd2[ppta]、在多晶硅原料的表面存在的受主元素的合计浓度设为Ca2[ppta]时，所述Cd1、Ca1、Cd2和Ca2满足下述关系：5[ppta]≤(Ca1+Ca2)－(Cd1+Cd2)≤26[ppta]。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及p型单晶硅的制造方法。特别是，本专利技术涉及用于制造具有高电阻率的单晶硅的多晶硅原料。

技术介绍

1、单晶硅是工业上极其重要的材料，用于半导体晶片、太阳能电池单元、高频器件、传感器等各种元件的基板等。在用于各种元件的基板的情况下，为了抑制基板内的电荷的移动，要求基板为具有高电阻率的单晶硅。例如，如专利文献1所记载地那样，要求电阻率为数千ωcm左右的基板。

2、单晶硅是通过使晶种与将多晶硅原料熔融而得到的硅熔液接触从而作为单晶硅锭而得到的。作为得到单晶硅锭的方法，已知cz(柴可拉斯基)法和fz(悬浮区熔)法。

3、以往，具有高电阻率的单晶硅是通过fz法制造的。然而，对于fz法，制造大口径的锭是困难的，在成本方面不利。

4、因此，尝试了通过能够比较容易地制造φ300mm以上的大口径的锭，并且与fz法相比为低成本的cz法，来制造具有高电阻率的单晶硅。

5、例如，专利文献2公开了通过使用多晶硅原料中的杂质浓度之差(施主浓度与受主浓度之差)被管控为特定范围内的多晶硅原料，得到具有高电阻率的单晶硅。

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【技术保护点】

1.一种p型单晶硅的制造方法，其特征在于，将包含多种多晶硅块的多晶硅原料熔融来制造p型单晶硅，

2.根据权利要求1所述的p型单晶硅的制造方法，其特征在于，

3.根据权利要求1或2所述的p型单晶硅的制造方法，其特征在于，

4.根据权利要求1或2所述的p型单晶硅的制造方法，其特征在于，

5.根据权利要求1或2所述的p型单晶硅的制造方法，其特征在于，

【技术特征摘要】

1.一种p型单晶硅的制造方法，其特征在于，将包含多种多晶硅块的多晶硅原料熔融来制造p型单晶硅，

2.根据权利要求1所述的p型单晶硅的制造方法，其特征在于，

3.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：浅野卓也，佐伯幸一，惠本美树，小野田透，
申请(专利权)人：株式会社德山，
类型：发明
国别省市：