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本发明涉及p型单晶硅的制造方法。将包含多种多晶硅块的多晶硅原料熔融来制造p型单晶硅，所述制造方法包括如下工序：在所述多晶硅原料熔融时不添加掺杂剂，来制造电阻率为10000Ωcm以上的p型单晶硅，作为所述多晶硅原料，使用如下多晶硅原料：将在多...
该专利属于株式会社德山所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社德山授权不得商用。

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