一种具有双界面层的制造技术

本发明专利技术公开了一种具有双界面层的

【技术实现步骤摘要】
一种具有双界面层的Si3N4‑
SiC复合涂层石墨基座的制备方法


[0001]本专利技术属于半导体
，具体涉及一种
Si3N4‑
SiC
复合涂层的制备方法
、
由该制备方法制成的
Si3N4‑
SiC
复合涂层以及沉积有该
Si3N4‑
SiC
复合涂层的具有双界面层的石墨基座
。

技术介绍

[0002]随着第三代半导体的蓬勃发展
,
氮化镓
(GaN)
在
LED
照明领域具有重要作用，目前
GaN
基
LED
外延生长主要使用金属有机物化学气相沉积
(MOCVD)。
半导体用石墨基座盘作为
MOCVD
设备中用于单晶
SiC、InP、GaN、AlN
半导体外延生长的衬底，其热稳定性
、
热均匀性等性能参数对外延材料生长的质量起到决定性作用，因此是
MOCVDr/>设备的核心关键本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种具有双界面层的
Si3N4‑
SiC
复合涂层石墨基座的制备方法，其特征在于，包括以下的步骤：
S1、
石墨基体表面进行预处理，放入化学气相沉积炉中；
S2、
化学气相沉积炉进行抽真空处理，然后通入四氯化硅气体
、
氨气和稀释气体氩气，所述氨气和四氯化硅气体的摩尔比为5‑
8:1
；
S3、
升温至
1400
‑
1600℃
，进行
CVD
沉积，保持炉压
2kPa
，保温反应3‑
5h
；
S4、
待所述步骤
S3
完成后，关闭四氯化硅气体
、
氨气，温度降低至
1050
‑
1150℃
，然后通入甲基三氯硅烷气体和氢气，进行
CVD
沉积，保持炉压
2kPa
，保温反应
10
‑
15h
，所述甲基三氯硅烷气体和氢气的流量比为
1:20
；
S5、
待所述步骤
S4
反应完成后，关闭甲基三氯硅烷气体和氢气，在充满氩气的氛围中降温至室温，取出产品
。2.
根据权利要求1所述的具有双界面层的
Si3N4‑
SiC
复合涂层石墨基座的制备方法，其特征在于，所述步骤
S2
中，所述氨气和四氯化硅气体的流速分别为
800mL/min
和
100mL/min。3.
根据权利要求1所述的具有双界面...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨建校，税远洋，张继斌，
申请(专利权)人：湖南元墨科技有限公司，
类型：发明
国别省市：