一种半导体制备系统技术方案

本发明专利技术涉及半导体制备技术，具体公开了一种半导体制备系统，包括生产单元和中控单元，生产单元用于半导体的制备生产，中控单元用于对生产单元在进行制备生产半导体时，对其工作状况进行精确控制，其中，生产单元包括：外机体和半导体制备室，半导体制备室位于外机体内部，且其自上而下设有半导体制备腔和半导体成型腔，在半导体制备腔和半导体成型腔之间还设有流通管，半导体制备腔为一密闭腔室，在其内部蓄有镓液，半导体制备腔的侧部还安装有第一加热组件，在半导体制备腔的顶部贯穿设有延伸至外机体外部的第一输入管，第一输入管的底端通过伸缩件连接有分流件，提升整个系统的智能化和便捷化，并确保最终生成的半导体成品质量更好。更好。更好。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体制备系统


[0001]本专利技术涉及半导体制备
，尤其涉及一种半导体制备系统。

技术介绍

[0002]近几年来，氮化镓等氮化物合金材料由于其在紫外以及可见光优越的光电特性被广泛地应用于半导体产业。目前采用气体外延方法制备Ⅲ族氮化物材料是半导体行业中最实用的且有效的方法，而气相外延法在制备氮化镓时，主要流程为：首先将氨气和预先生成的氯化镓气体充分混合，形成氮化镓生长混气，再将氮化镓生长混气覆盖到氮化镓种子上，进行氮化镓的生长，而在这个过程中，生长混气的混合程度将直接影响氮化镓的生长程度，而这也正是现有技术存在的难点之一。
[0003]现有技术在制备氮化镓时，难以确保制备腔中的放置物与反应气体之间进行充分接触，而导致不能生成足量的氯化镓气体，进而影响最终半导体成品产量，同时在现有技术中，氮化镓在最终生长成型时，需要通过加热器对半导体承载台上的氮化镓晶体种子进行加热，促使其在高温下进行反应生长，但是现有技术难以确保加热器对半导体承载台上氮化镓种子进行均匀加热，造成其受热温度不均，从而导致各区域的氮化镓晶体生长速率不一致，进而出本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体制备系统，包括生产单元和中控单元，所述生产单元用于半导体的制备生产，其特征在于，所述生产单元包括：外机体（10）和半导体制备室，所述半导体制备室位于外机体（10）内部，且其自上而下设有半导体制备腔（11）和半导体成型腔（12），在所述半导体制备腔（11）和半导体成型腔（12）之间还设有流通管（13），所述半导体制备腔（11）为一密闭腔室，在其内部蓄有镓液，所述半导体制备腔（11）的侧部还安装有第一加热组件（110），在所述半导体制备腔（11）的顶部贯穿设有延伸至外机体（10）外部的第一输入管（111），所述第一输入管（111）的底端通过伸缩件连接有分流件（115）；所述伸缩件包括一端与第一输入管（111）相连接、另一端连接有封堵管头（113）的可伸缩管节（112）；其中，所述封堵管头（113）为一中空管体，其内设有开关阀（114），所述开关阀包括上阀体（1140）、下阀体（1141）和阀芯（1142），所述上阀体（1140）和下阀体（1141）之间形成阀体空腔（1143），所述阀体空腔（1143）包括阀芯腔（11430）和阀腔流道（11431），所述阀芯腔（11430）位于上阀体（1140）和下阀体（1141）之间的中心位置处，且其与阀芯（1142）相适配，所述阀腔流道（11431）均布在阀芯腔（11430）四周，且各阀腔流道（11431）呈V形，其一端与阀芯腔（11430）相连通，另一端贯穿至上阀体（1140）外部，且阀腔流道（11431）与阀芯腔（11430）相连通的开口朝倾斜向上的方向设置，且所述阀腔流道（11431）的孔径自气体流动方向呈递减趋势，所述上阀体（1140）的顶部中间向上凸出并形成呈凸弧形的引流部（11400），且引流部（11400）的弧形下边缘位置处靠近所述阀腔流道（11431）与上阀体（1140）外部相连通的开口处，在所述下阀体（1141）的内部中间开设有通孔（11410），且通孔（11410）用于连通阀芯腔（11430）和分流件（115），所述阀芯（1142）包括阀球（11420）、浮板（11421）以及阀塞（11422），所述阀球（11420）位于阀芯腔（11430）内、且其为一中空球体、并与阀芯腔（11430）存在间隙，所述浮板（11421）环绕设置在阀球（11420）的外球面、且其下板面位于阀腔流道（11431）与阀芯腔（11430）连通处开口的正上方，所述浮板（11421）的上板面通过弹性件与阀芯腔（11430）相连接，所述阀塞（11422）安装在阀球（11420）的底部、并与通孔相适配；所述分流件（115）为一塑料壳体，且分流件（115）包括设于其内部、并通过开孔与阀芯腔（11430）相连通的分流腔（1150），以及位于塑料壳体的底部、呈环形阵列状分布的多圈层分流尖嘴（1151），且多圈层分流尖嘴（1151）自分流件（115）的底部中心向四周延伸方向依次划分为第一圈层、第二圈层和第三圈层，其中位于第一圈层位置处的分流尖嘴（1151）沿靠近分流件（115）的底部中心方向倾斜设置，位于第二圈层的位置处的分流尖嘴（1151）竖直设置，位于第三圈层的分流尖嘴（1151）沿远离分流件（115）的底部中心方向设置。2.根据权利要求1所述的一种半导体制备系统，其特征在于：在所述分流腔（1150）的内部分别设有同轴的第一凸环（1152）、第二凸环（1153）和第三凸环（1154），在所述第一凸环（1152）的内部中间设有呈近椭圆状的导流凸块（1155），且第一凸环（1152）的内环面形成与导流凸块（1155）下部形状相匹配的弧形面、并与导流凸块（1155）之间形成第一环形通道，所述第一凸环（1152）与第二凸环（1153）之间形成第二环形通道，所述第二凸环（1153）与第三凸环（1154）之间形成第三环形通道，所述第一环形通道与位于第一圈层位置处的分流尖嘴（1151）相对应，所述第二环形通道与位于第二圈层位置处的分流尖嘴（1151）相对应，所述第三环形通道与位于第三圈层位置处的分流尖嘴（1151）相对应。3.根据权利要求1所述的一种半导体制备系统，其特征在于：所述可伸缩管节（112）包
括相互连通的第一管体（1120）和第二管体（1121），第二管体（1121）滑动套设在第一管体（1120）内部，且其远离第一管体（1120）的一端与封堵管头相连通。4.根据权利要求3所述的一种半导体制备系统，其特征在于：在分流件（115）的外部还设有防溅组件（116），所述防溅组件（116）包括：安装座（1160）、撑杆（1161）、拉杆（1162）、防溅套（1163）和固定座（1164），所述安装座（1160）套设在分流件（115）的外部，在所述安装座（1160）的外周面铰接有多根撑杆（1161），在多根撑杆（1161）上粘接有呈环形的防溅套（1163），所述防溅套（1163）的内环面通过卡环与安装座（1160）适配安装，所述拉杆（1162）设有多根，且与所述撑杆（1161）一一对应，任一所...

【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，
申请(专利权)人：国镓芯科成都半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：