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本发明提供了一种以硅烷丙烷为原料化学气相沉积制备碳化硅晶体的方法，以硅烷丙烷为原料，化学气相沉积得到。具体地，将籽晶置于CVD沉积炉中，抽真空，升温，旋转籽晶，通入气体混合物，进行化学气相沉积，即得碳化硅晶体。本发明所得碳化硅晶体纯度高，可...
该专利属于湖南元墨科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过湖南元墨科技有限公司授权不得商用。

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