【技术实现步骤摘要】
本公开涉及图像传感器。
技术介绍
1、图像传感器可以包括将光学信息转换成电信号的半导体元件。
2、图像传感器可以由电荷耦合装置(ccd)图像传感器和互补金属氧化物半导体(cmos)图像传感器提供。
3、图像传感器可以以封装件的形式配置。在这种情况下，封装件可以被配置为保护图像传感器并且同时允许光进入图像传感器的光接收表面或感测区域的结构。
4、最近，已经研究了背侧照明(bsi)图像传感器，在bsi图像传感器中，入射光通过半导体衬底的背侧照射，使得形成在图像传感器中的像素具有提高的光接收效率和感光度。
技术实现思路
1、本公开的一方面在于提供一种解决可能在形成滤色器结构的工艺中出现的污点缺陷的图像传感器。
2、本公开的各方面不限于上述内容，并且从本公开的以下描述，本领域技术人员可以清楚地理解在本文未提及的本公开的附加方面。
3、根据本公开的一方面的图像传感器包括：衬底，其包括第一区和在第一区的外围中的第二区，其中，第一区包括多个单位...
【技术保护点】
1.一种图像传感器，包括：
2.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，连接所述第一微透镜、所述第二微透镜和所述第三微透镜中的每一个的最外侧壁的每条虚拟线的斜率以及连接所述多个微透镜中的每个附加的微透镜的最外侧壁的每条虚拟线的斜率随着相应的微透镜接近所述第一延伸部分而增大或减小。
3.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，由连接所述多个微透镜中在所述第一拐角部分中的每个微透镜的最外侧壁的虚拟线和连接所述多个微透镜中在所述第一延伸部中的每个微透镜的最外侧壁的虚拟线形成的角度是锐角。
4.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，连接所述第一...
【技术特征摘要】
1.一种图像传感器，包括：
2.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，连接所述第一微透镜、所述第二微透镜和所述第三微透镜中的每一个的最外侧壁的每条虚拟线的斜率以及连接所述多个微透镜中的每个附加的微透镜的最外侧壁的每条虚拟线的斜率随着相应的微透镜接近所述第一延伸部分而增大或减小。
3.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，由连接所述多个微透镜中在所述第一拐角部分中的每个微透镜的最外侧壁的虚拟线和连接所述多个微透镜中在所述第一延伸部中的每个微透镜的最外侧壁的虚拟线形成的角度是锐角。
4.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，连接所述第一虚设透镜、所述第二虚设透镜和所述第三虚设透镜的最外侧壁的每条虚拟线的斜率和连接所述多个虚设透镜中的每个附加的虚设透镜的最外侧壁的每条虚拟线的斜率随着相应的虚设微透镜接近所述第三延伸部分而增大或减小。
5.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，由连接所述多个虚设透镜中在所述第二拐角部分中的每个虚设透镜的最外侧壁的虚拟线和连接所述多个虚设透镜中在所述第三延伸部分中的每个虚设透镜的最外侧壁的虚拟线形成的角度是锐角。
6.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述衬底还包括在所述第一区和所述第二区之间的第三区，其中，所述第三区包括所述第二滤色器。
7.根据权利要求6所述的图像传感器，其中，所述滤色器结构还包括在所述多个第一滤色器之间的栅格图案，并且其中，所述栅格图案不在所述第三区与所述第一区之间。
8.根据权利要求1所述的图像传感器，还包括沿着所述多个微透镜中的每个微透镜的表面形成在所述多个微透镜上的第一钝化层。
9.根据权利要求8所述的图像传感器，还包括形成在所述第一钝化层上的第二钝化层，其中，所述第二钝化层的厚度小于所述第一钝化层的厚度。
10.根据权利...
【专利技术属性】
技术研发人员：徐载宽，金诗镐，吴亨锡，尹永吉，李佑源，郑瑟永，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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