【技术实现步骤摘要】
本专利技术构思涉及集成电路器件，更具体地，涉及一种包括场效应晶体管的集成电路器件。
技术介绍
1、随着电子技术的发展，集成电路器件的尺寸缩小已经快速进行。由于需要在工作时具有高运行速度和高准确性的半导体器件，所以正在进行优化半导体器件中包括的晶体管的结构的各种研究。
技术实现思路
1、根据本专利技术构思的实施例，一种集成电路器件包括：后布线结构；绝缘衬底，所述绝缘衬底设置在所述后布线结构上并且包括在第一水平方向上延伸的多个鳍结构；器件隔离层，所述器件隔离层设置在所述多个鳍结构之间；下绝缘层，所述下绝缘层覆盖所述多个鳍结构的顶表面；多个栅极结构，所述多个栅极结构在所述绝缘衬底上沿与所述第一水平方向交叉的第二水平方向延伸；多个纳米片堆叠件，所述多个纳米片堆叠件设置在所述下绝缘层上并且被所述多个栅极结构至少部分地围绕；第一源极/漏极区，所述第一源极/漏极区设置在所述绝缘衬底上并且包括主体部分和垂直延伸部分，其中，所述主体部分设置在所述多个纳米片堆叠件之间，并且所述垂直延伸部分穿过所述下绝缘层且至...
【技术保护点】
1.一种集成电路器件，所述集成电路器件包括：
2.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，所述半导体外延结构在所述第一水平方向上的宽度大于所述第一源极/漏极区的所述垂直延伸部分在所述第一水平方向上的宽度。
3.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，所述半导体外延结构在所述第二水平方向上的宽度大于所述第一源极/漏极区的所述垂直延伸部分在所述第二水平方向上的宽度。
4.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，所述半导体外延结构的侧壁包括具有正轮廓的部分，该部分延伸为使得所述半导体外延结构在所述第一水平方向上的宽度随着所述半导体外延结构...
【技术特征摘要】
1.一种集成电路器件，所述集成电路器件包括：
2.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，所述半导体外延结构在所述第一水平方向上的宽度大于所述第一源极/漏极区的所述垂直延伸部分在所述第一水平方向上的宽度。
3.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，所述半导体外延结构在所述第二水平方向上的宽度大于所述第一源极/漏极区的所述垂直延伸部分在所述第二水平方向上的宽度。
4.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，所述半导体外延结构的侧壁包括具有正轮廓的部分，该部分延伸为使得所述半导体外延结构在所述第一水平方向上的宽度随着所述半导体外延结构的所述侧壁远离所述下绝缘层的底表面而增加。
5.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，所述第一源极/漏极区的所述主体部分在所述第二水平方向上的宽度大于所述第一源极/漏极区的所述垂直延伸部分在所述第二水平方向上的宽度。
6.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，相对于所述下绝缘层的底表面，所述半导体外延结构的底表面位于比所述第一源极/漏极区的所述垂直延伸部分的底表面低的垂直高度。
7.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，相对于所述下绝缘层的底表面，所述半导体外延结构的底表面设置在比所述器件隔离层的底表面低的垂直高度。
8.根据权利要求1所述的集成电路器件，所述集成电路器件还包括第二源极/漏极区，所述第二源极/漏极区与所述第一源极/漏极区在所述第一水平方向上间隔开，所述多个栅极结构中的第一栅极结构设置在所述第一源极/漏极区与所述第二源极/漏极区之间，并且所述第二源极/漏极区布置在所述下绝缘层上。
<...【专利技术属性】
技术研发人员：边晓训，金锡勋，金彦起，朴判贵，林圣根，曹裕英，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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