使用主分量分析的紧凑ＡＢＢＥ内核生成制造技术

提供了一种使用主分量分析的紧凑ＡＢＢＥ内核生成。一些实施例提供用于确定对光刻工艺的光学系统进行建模的ＡＢＢＥ内核集合的技术。在操作期间，系统可以接收用于光刻工艺的光学系统的光学参数（例如数值孔径、波长等）。接着，系统可以使用光学参数以确定用于ＡＢＢＥ源的点扩展函数。注意可以通过使用同心圆集合将光学系统的光源离散化或者以正交方式将光学系统的光源离散化来确定用于ＡＢＢＥ源的点扩展函数。系统然后可以根据点扩展函数来确定相关矩阵。接着，系统可以通过使用主分量分析进行相关矩阵的特征分解来确定ＡＢＢＥ内核集合。系统然后可以使用ＡＢＢＥ内核集合以计算图像强度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术一般地涉及电子设计自动化。具体而言，本专利技术涉及用于使用主分量分析 基于紧凑Abbe内核生成来确定光刻工艺模型的方法和设备。
技术介绍
计算技术的迅速发展可以主要地归功于已经使得有可能将数以千万计的器件集 成到单个芯片上的半导体制造技术的改进。 可以通过将光暴露于涂敷有光刻胶的晶片上而刻画图案的光刻是工业集成电路 (IC)制造中的重要工艺。光刻工艺模型普遍地用来对光刻工艺进行建模。工艺模型可以在 设计半导体芯片期间使用于多个应用中。例如，光刻工艺模型普遍地用于对布局进行修正 以补偿半导体制造工艺的不希望的效应。 希望减少生成光刻模型所需要的时间，以改进光刻工艺模型的性能并且改进光刻 模型的准确性。 一般而言，在准确性与性能之间的存在权衡。具体而言，增加工艺模型的准 确性通常增加生成工艺模型所需要的时间并且也增加使用工艺模型的时间(例如增加巻 积时间)。
技术实现思路
—些实施例提供用于确定光刻工艺模型的系统和技术，该光刻工艺模型基于对光 刻工艺的光学系统进行建模的Abbe内核集合。 在操作期间，系统可以接收用于光刻工艺的光学系统的光学参数(例如数值孔 径、波长等)。接着，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于确定对光刻工艺的光学系统进行建模的Ａｂｂｅ内核集合的方法，所述方法包括：接收用于所述光刻工艺的光学系统的光学参数；使用所述光学参数以确定用于Ａｂｂｅ源的点扩展函数；根据所述点扩展函数来确定相关矩阵；通过使用主分量分析执行所述相关矩阵的特征分解来确定所述Ａｂｂｅ内核集合；并且存储所述Ａｂｂｅ内核集合。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：CCp陈，LS梅尔文三世，
申请(专利权)人：新思科技有限公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]