用于针对双图案化过程进行光刻验证的方法和系统技术方案

本发明专利技术涉及用于针对双图案化过程进行光刻验证的方法和系统。本发明专利技术的一个实施例提供一种针对掩膜布局的双图案化过程进行光刻验证而不进行掩膜布局的全轮廓仿真的系统。在操作期间，该系统通过接收双图案化过程的第一光刻步骤中使用的第一掩膜和双图案化过程的第二光刻步骤中使用的第二掩膜来启动。注意，通过划分掩膜布局来获得第一掩膜和第二掩膜。接着，该系统接收掩膜布局上的评估点。该系统然后确定评估点是只位于第一掩膜的多边形上、只位于第二掩膜的多边形上还是位于别处。该系统接着基于评估点是只位于第一掩膜的多边形上还是只位于第二掩膜的多边形上，在用于掩膜布局的评估点计算印刷指示符。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术主要地涉及用于设计和制造集成电路(IC)的技术。更具体而言，本专利技术涉及用于针对双图案化过程(double-patterningprocess)进行光刻验证的技术和系统。
技术介绍
IC制造技术的发展已经实现IC芯片上的最小特征尺寸减小。事实上，当前最小特征尺寸明显小于常规光学成像系统中所用的光波长。对32nm节点技术的需要在相伴而生的高折射率材料或者极紫外线(EUV)光源已经变得可用于产生这样小的节点之前就已经出现。尽管已经将193nm水浸渍光刻考虑为一种超越32nm节点的有前途的技术，但是这一光刻技术一般要求有效介电常数(k1)在理论限制0.25以下的图案化特征。然而，越过这一物理限制可能是不可能的，除非通过将设计掩膜布局拆分成两个掩膜并且使用两个单独曝光的序列印刷掩膜(这通常称为双图案化技术(DPT))，来放宽最小间距要求。 虽然DPT使32nm和甚至更小的半间距设计可行，但这一技术引起对通常称为“光刻规则检验”(LRC)的光刻验证过程的新挑战。通常，两种方式用来进行图2中所示的常规单图案化LRC。第一方式称为“基于轮廓”的LRC，这在图2的上方绘图中示本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于针对掩膜布局的双图案化过程进行光刻验证而不进行所述掩膜布局的全轮廓仿真的方法，所述方法包括：接收所述双图案化过程的第一光刻步骤中使用的第一掩膜和所述双图案化过程的第二光刻步骤中使用的第二掩膜，其中通过划分所述掩膜布局来获得所述第一掩膜和所述第二掩膜；接收所述掩膜布局上的评估点；确定所述评估点是只位于所述第一掩膜的多边形上、只位于所述第二掩膜的多边形上还是位于别处；以及基于所述评估点是只位于所述第一掩膜的多边形上、只位于所述第二掩膜的多边形上还是位于别处，在用于所述掩膜布局的所述评估点计算印刷指示符。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：宋华，王蓝天，GT卢克帕特，JP希利，
申请(专利权)人：新思科技有限公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]