一种基板的超临界处理方法技术

本申请提供了一种晶圆盒清洗方法，包括以下步骤：步骤S2，将第一状态的超临界流体通入清洁腔，通过所述超临界流体处理所述基板表面的目标污染物，以及将所述超临界流体从所述清洁腔内排出；步骤S3，排出清洁腔内的超临界流体，降低清洁腔内的压力使清洁腔内的压力小于等于第一预设压力值；其中，在步骤S2中，持续检测从所述清洁腔内排出所述超临界流体中目标污染物的浓度值，当所述目标污染物在第一预设时长内的最大浓度值小于等于第一预设浓度值时，向清洁腔内通入第二状态的超临界流体。本申请根据排出的污染物中目标污染物的浓度，根据检出的浓度不同，向清洁腔内通入不同状态的超临界流体，以降低清洁成本。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及晶圆制造，特别是涉及一种基板的超临界处理方法。

技术介绍

1、通常，半导体设备由诸如晶圆的表面形成有精细电路图案的基板制造而成。在基板的制造过程中，基板的表面可能被各种异物污染，因此对基板进行清洁以去除异物。清洁工艺通常包含三个主要步骤：化学处理步骤以去除污染物，冲洗步骤以消除化学品残留，以及干燥步骤以移除基板上的水分。

2、以晶圆清洗为例，随着半导体制造工艺到达7nm以下，晶圆表面超高深宽比微纳结构在干燥过程中容易出现坍塌、粘连等问题。使用异丙醇（ipa）取代晶圆表面的纯水后，再使用零表面张力、低粘度、高扩散系数、高溶解率的超临界流体来溶解移除晶圆表面超高深宽比微纳结构中的ipa成为主流技术之一。

3、超临界流体处理晶圆的过程中，由于ipa在超临界二氧化碳中的溶解度会随着二氧化碳的密度变化而变化，因此为了防止超临界处理期间由于腔体内压力和温度的变化等原因导致ipa溶解度的下降，进而使得溶解在超临界二氧化碳中的ipa再次析出并落到晶圆表面形成缺陷，通常会在超临界处理阶段，将腔室的压力和温度提升至较高的水平。

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【技术保护点】

1.一种基板的超临界处理方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的基板的超临界处理方法，其特征在于： 所述步骤S2包括重复的将所述第二状态的超临界流体通入所述清洁腔以及将所述清洁腔内的超临界流体排出。

3.根据权利要求1所述的基板的超临界处理方法，其特征在于：在所述步骤S2中，当所述清洁腔内排出所述超临界流体中目标污染物的浓度值的浓度值小于等于第二预设浓度值时，停止向所述清洁腔内通入超临界流体。

4.根据权利要求3所述的基板的超临界处理方法，其特征在于：所述第一预设浓度值和所述第二预设浓度值之间设有若干个子预设浓度区间值，每一所述子预设...

【技术特征摘要】

1.一种基板的超临界处理方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的基板的超临界处理方法，其特征在于： 所述步骤s2包括重复的将所述第二状态的超临界流体通入所述清洁腔以及将所述清洁腔内的超临界流体排出。

3.根据权利要求1所述的基板的超临界处理方法，其特征在于：在所述步骤s2中，当所述清洁腔内排出所述超临界流体中目标污染物的浓度值的浓度值小于等于第二预设浓度值时，停止向所述清洁腔内通入超临界流体。

4.根据权利要求3所述的基板的超临界处理方法，其特征在于：所述第一预设浓度值和所述第二预设浓度值之间设有若干个子预设浓度区间值，每一所述子预设浓度区间值与一预设状态的超临界流体相对应，当所述超临界流体中目标污染物的浓度值落入其中一预设子浓度区间值时，向清洁腔内通入与该子预设浓度区间值相对应的预设状态的超临界流体。

5.根据权利要求1所述的基板的超临界处理方法，其特征在于：在所述步骤s2中，当目标污染物的浓度值大于等于第三预设浓度值时，通入所述清洁腔的超临界流体的每单位时间的供应量大于等...

【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，请求不公布姓名，请求不公布姓名，
申请(专利权)人：江苏芯梦半导体设备有限公司，
类型：发明
国别省市：