【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体器件制备领域，尤其涉及一种高散热柔性gan hemt器件制备方法及高散热柔性gan hemt器件。
技术介绍
1、随着人工智能、自动驾驶、物联网等新技术的发展，柔性电子产品由于其能够承担更大应力变形便携、可穿戴、节能等特质，被广泛应用于柔性显示器、可穿戴传感器、电子皮肤、柔性微处理器和柔性微波电子器件等领域。而柔性高电子迁移率晶体管(hemt)的应用于源于氮化镓氮化镓材料的卓越性能和多方面的优势，基于压电效应，施加外部应力可以显著调节柔性hemt的电性能。
2、氮化镓作为一种宽禁带、高电子迁移率的半导体材料，为高频、高速和高功率应用提供了理想的平台。氮化镓材料表现出的压电效应，即在外力或应变作用下引发电荷分布变化，这种压电性质使得氮化镓hemt可以适应于弯曲的表面，为柔性电子器件的设计提供了更大的灵活性和可塑性。柔性氮化镓hemt作为一种先进的半导体器件，结合了氮化镓材料的高性能和压电效应的优势，为柔性电子学和高频应用提供了创新的解决方案。
3、随着氮化镓hemt的广泛应用，其在高功率操作时可...
【技术保护点】
1.一种高散热柔性GaN HEMT器件制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的高散热柔性GaN HEMT器件制备方法，其特征在于，步骤S4具体包括：
3.根据权利要求2所述的高散热柔性GaN HEMT器件制备方法，其特征在于，步骤S7具体包括：
4.根据权利要求3所述的高散热柔性GaN HEMT器件制备方法，其特征在于，所述通过激光照射诱导所述第二聚酰亚胺聚合物层中的部分聚酰亚胺聚合物转化为第二石墨烯层具体包括：
5.根据权利要求4所述的高散热柔性GaN HEMT器件制备方法，其特征在于，所述绝缘垂...
【技术特征摘要】
1.一种高散热柔性gan hemt器件制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的高散热柔性gan hemt器件制备方法，其特征在于，步骤s4具体包括：
3.根据权利要求2所述的高散热柔性gan hemt器件制备方法，其特征在于，步骤s7具体包括：
4.根据权利要求3所述的高散热柔性gan hemt器件制备方法，其特征在于，所述通过激光照射诱导所述第二聚酰亚胺聚合物层中的部分聚酰亚胺聚合物转化为第二石墨烯层具体包括：
5.根据权利要求4所述的高散热柔性gan hemt器件制备方法，其特征在于，所述绝缘垂直导热柱为金刚石导热柱。
6.根据权利要求3所述的高散热柔性gan hemt器件制备方法，其...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨战武，蒋忠伟，刘新科，
申请(专利权)人：红与蓝半导体佛山有限公司，
类型：发明
国别省市：
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