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本发明提供一种高散热柔性GaN HEMT器件制备方法，包括：在第一衬底上侧形成氮化镓层与势垒层；在衬底上形成若干条绝缘垂直导热柱，导热柱穿透所述氮化镓层与所述势垒层；在势垒层上侧形成氧化铝层，基于所述氧化铝层形成漏极、源极与栅极，形成第一导...
该专利属于红与蓝半导体（佛山）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过红与蓝半导体（佛山）有限公司授权不得商用。

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