一种垂直JFET异质光电晶体管及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种垂直JFET异质光电晶体管，包括：N型衬底，所述N型衬底上侧设置有N型外延层；N型外延层内部左右两侧分别对称设置一P型阱区，所述P型阱区的上边缘与所述N型外延层的上边缘处于同一平面；所述N型外延层上侧设置有光敏吸收层和透明电极，其中，所述透明电极设置在光敏吸收层上侧；漏极，所述源极设置于N型衬底下侧；源极，所述源极设置于透明电极上侧；栅极，所述栅极设置于P型阱区上侧。本发明专利技术还包括对应一种垂直JFET异质光电晶体管的一种垂直JFET异质光电晶体管制备方法。本发明专利技术提供的垂直JFET异质光电晶体管及其制备方法电学性能强、尺寸更小、灵敏度高、探测范围和动态响应范围更广。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体制备领域，尤其涉及一种垂直jfet异质光电晶体管及其制备方法。

技术介绍

1、以si为代表的第一代元素半导体和以gaas和inp为代表的第二代化合物半导体虽然推动了微电子和和光电子技术的高速发展，但它们的禁带宽度小，响应截止波段在可见或红外波段，传统的si pds和ingaas pds仅能实现在可见区域或红外区域探测，存在响应度低和成本高等问题，并不适用紫外光电探测器。尽管紫外增强型si基光电探测器的制作工艺已经相对成熟，但其光谱响应范围一直延伸到近红外波段，不具备日盲和可见光盲的特性，在进行紫外光探测器时，需要加装特殊设计的滤光系统，不仅价格昂贵，而且实现难度高。传统的硅基紫外探测器存在响应度较低且存在暗电流较大和耐压退化等缺点，以sic、gan、zno、ga2o3和金刚石为代表的宽禁带半导体材料得益于大的禁带宽度，是用于制备紫外探测器的优选材料。

2、以氮化镓、sic、gan、zno、ga2o3和金刚石为代表的第三代半导体材料具有宽禁带、击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优越性质，凭借其优越的性能和巨大本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种垂直JFET异质光电晶体管，应用于紫外光探测器中，其特征在于，包括以下结构：

2.根据权利要求1所述的垂直JFET异质光电晶体管，其特征在于，所述N型衬底为重掺N型衬底，所述重掺N型衬底使用氮化镓、碳化硅、氧化镓、金刚石中的至少一种制成；

3.根据权利要求2所述的垂直JFET异质光电晶体管，其特征在于，所述P型阱区之间间隔2～10μm。

4.根据权利要求1所述的垂直JFET异质光电晶体管，其特征在于，所述光敏吸收层为P型异质光敏半导体吸收层，所述P型异质光敏光导体吸收层采用P型二维材料、P-氧化镓、P-氧化镍、p-AlGaN中的至少一种制成；透...

【技术特征摘要】

1.一种垂直jfet异质光电晶体管，应用于紫外光探测器中，其特征在于，包括以下结构：

2.根据权利要求1所述的垂直jfet异质光电晶体管，其特征在于，所述n型衬底为重掺n型衬底，所述重掺n型衬底使用氮化镓、碳化硅、氧化镓、金刚石中的至少一种制成；

3.根据权利要求2所述的垂直jfet异质光电晶体管，其特征在于，所述p型阱区之间间隔2～10μm。

4.根据权利要求1所述的垂直jfet异质光电晶体管，其特征在于，所述光敏吸收层为p型异质光敏半导体吸收层，所述p型异质光敏光导体吸收层采用p型二维材料、p-氧化镓、p-氧化镍、p-algan中的至少一种制成；透明电极由石墨烯或mnexe制成。

5.根据权利要求4所述的垂直jfet异质光电晶体管，其特征在于，所述光敏吸收层厚...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨战武，蒋忠伟，刘新科，
申请(专利权)人：红与蓝半导体佛山有限公司，
类型：发明
国别省市：