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本发明提供一种垂直JFET异质光电晶体管,包括:N型衬底,所述N型衬底上侧设置有N型外延层;N型外延层内部左右两侧分别对称设置一P型阱区,所述P型阱区的上边缘与所述N型外延层的上边缘处于同一平面;所述N型外延层上侧设置有光敏吸收层和透明电极...该专利属于红与蓝半导体(佛山)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过红与蓝半导体(佛山)有限公司授权不得商用。
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本发明提供一种垂直JFET异质光电晶体管,包括:N型衬底,所述N型衬底上侧设置有N型外延层;N型外延层内部左右两侧分别对称设置一P型阱区,所述P型阱区的上边缘与所述N型外延层的上边缘处于同一平面;所述N型外延层上侧设置有光敏吸收层和透明电极...