本发明专利技术涉及一种封装结构及其形成方法、半导体结构。所述封装结构包括：第一基板；第二基板，位于所述第一基板上方；封装体，位于所述第一基板与所述第二基板之间，所述封装体包括半导体芯片、功能器件以及位于所述半导体芯片至少一侧的多个第一互联结构，所述第一互联结构电连接所述第一基板与所述第二基板，位于所述半导体芯片同侧的多个所述第一互联结构间隔排布，所述功能器件位于相邻的所述第一互联结构之间的间隙区域内。本发明专利技术避免了封装结构在制造过程中出现翘曲等形变，提高了封装结构的集成度。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路制造，尤其涉及一种封装结构及其形成方法、半导体结构。
技术介绍
1、嵌入式三维垂直互联部件(embedded 3d interconnect，ebar)用于实现封装体内部顶部基板与底部基板之间的垂直电连接，在具有高密度的系统级封装(system in apackage，sip)中具有广泛的应用。但是，封装结构内部的所述嵌入式三维垂直互联部件通常以相同的间距规则的分布于封装体的侧面，从而限制了封装体设计的灵活性，不利于封装结构性能的改进及发展。而且，在封装结构的制造过程中，将所述嵌入式三维垂直互联部件规则分布封装体侧面的方式，极易导致封装结构发生翘曲等形变，尤其是当所述嵌入式三维垂直互联部件跨过切割道区域时翘曲形变更为严重。另外，所述嵌入式三维垂直互联部件规则分布封装体侧面的方式，占用了所述封装结构内部较大的空间，从而限制了封装结构集成度的进一步提高。
2、因此，如何提高封装结构的集成度，并降低封装结构在制造过程中发生翘曲等形变的概率，从而实现对封装结构性能的改善，是当前亟待解决的技术问题。
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【技术保护点】
1.一种封装结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述半导体芯片的同侧间隔分布有两个所述第一互联结构，且两个所述第一互联结构关于所述功能器件对称分布。
3.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，多个所述第一互联结构沿第一方向分布于所述半导体芯片的相对两侧；
4.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述封装体还包括填充于所述第一基板与所述第二基板之间的塑封层；
5.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第一互联结构还包括与所述第一基板电连接的多个第一底部引脚，相邻所述第一底部引脚之间具有第一...
【技术特征摘要】
1.一种封装结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述半导体芯片的同侧间隔分布有两个所述第一互联结构，且两个所述第一互联结构关于所述功能器件对称分布。
3.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，多个所述第一互联结构沿第一方向分布于所述半导体芯片的相对两侧；
4.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述封装体还包括填充于所述第一基板与所述第二基板之间的塑封层；
5.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第一互联结构还包括与所述第一基板电连接的多个第一底部引脚，相邻所述第一底部引脚之间具有第一间距；
6.根据权利要求5所述的封装结构，其特征在于，所述半导体芯片位于所述封装体的中部，所述第一互联结构位于所述封装体的边缘；所述封装体还包括：
7.一种半导体结构，其特征在于，包括：
8.根据权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，还包括：
9.根据权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，所述连接结构包括：
10.根据权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，所述封装体内位于所述半导体芯片同侧的多个所述第一互联结构沿第三方向间隔排布，所述第三方向平行于所述第一基底的顶面，且所述第一方向与所述第三方向相交；
11.根据权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，还包括：
12.一种封装结构的形成方法，其特征在于，包括...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨丹凤，徐松华，周莎莎，李曜，林耀剑，
申请(专利权)人：江苏长电科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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