一种微型发光二极管阵列基板、制作方法和显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种微型发光二极管阵列基板、制作方法和显示装置。其中一实施例的微型发光二极管阵列基板包括第一衬底和设置在第一衬底上的阵列排布的微型发光二极管，相邻的微型发光二极管之间具有隔断槽；其中，所述微型发光二极管包括：远离隔断槽的第一区域；以及靠近隔断槽、且环绕所述第一区域的第二区域；所述第一区域的电流大于所述第二区域的电流。本发明专利技术实施例的微型发光二极管阵列基板将微型发光二极管进行设计，使得微型发光二极管具有不同电流的第一区域和第二区域，使得电流集中于中心的第一区域，从而提高发光二极管的整体发光效率，进一步提高了微型发光二极管阵列基板的显示效果。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示。更具体地，涉及一种微型发光二极管阵列基板、制作方法和显示装置。

技术介绍

1、led(发光二极管)侧壁效应是蚀刻产生表面处悬挂键的缺陷态，这些缺陷态会捕获载流子，引起非辐射复合，导致辐射复合比例降低。此类非辐射复合可能对led(发光二极管器件)的发光效率具有显著影响。因此，亟需提出新的发光效率较高的发光二极管结构。

技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供一种微型发光二极管阵列基板、制作方法和显示装置，以解决现有技术存在的问题中的至少一个。

2、为达到上述目的，本专利技术采用下述技术方案：

3、本专利技术第一方面提供一种微型发光二极管阵列基板，所述阵列基板包括第一衬底和设置在第一衬底上的阵列排布的微型发光二极管，相邻的微型发光二极管之间具有隔断槽；

4、其中，所述微型发光二极管包括：

5、远离隔断槽的第一区域；以及

6、靠近隔断槽、且环绕所述第一区域的第二区域；

7、所述第一区域的电流大于所述第二区域的电流。

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【技术保护点】

1.一种微型发光二极管阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括第一衬底和设置在第一衬底上的阵列排布的微型发光二极管，相邻的微型发光二极管之间具有隔断槽；

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一区域设置有阻流结构，所述阻流结构为设置在所述第一衬底上的至少一个凸起结构，

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述阻流结构对应位置处的微型发光二极管的外延层的厚度小于第一区域对应位置处的微型发光二极管的外延层的厚度。

4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第一区域对应位置处的微型发光二极管的外延层的远离所述第一衬底一侧表面的距...

【技术特征摘要】

1.一种微型发光二极管阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括第一衬底和设置在第一衬底上的阵列排布的微型发光二极管，相邻的微型发光二极管之间具有隔断槽；

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一区域设置有阻流结构，所述阻流结构为设置在所述第一衬底上的至少一个凸起结构，

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述阻流结构对应位置处的微型发光二极管的外延层的厚度小于第一区域对应位置处的微型发光二极管的外延层的厚度。

4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第一区域对应位置处的微型发光二极管的外延层的远离所述第一衬底一侧表面的距离为第二距离，所述凸起结构的第一距离的最大值大于所述第二距离。

5.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，多个所述凸起结构在从所述第一区域到所述第二区域的方向上依次排布，

6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，

7.根据权利要求1-6中任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述外延层包括：

8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述微型发光二极管为垂直型发光二极管，所述微型发光二极管还包括第一电极和第二电极，

9.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述微型发光二极管为倒装型发光二极管，所述微型发光二极管还包括：

10.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一区域的外延层的材料和所述第二区域的外延层的材料相同，且，所述第一区域的外延层的极性和所述第二区域的外延层的极性不同。

11.根据权利要求10所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括位于隔断槽内的保护层，所述保护层远离所述第一衬底一侧的表面与所述外延层远离所述第一衬底一侧的表面位于同一水平面。

12.根据权利要求10所述的阵列基板，其特征在于，所述外延层包括依次层叠设置的第三半导体层、第二发光层以及第四半导体层，

13.根据权利要求12所述的阵列基板，其特征在于，所述微型发光二极管为垂直型发光二极管，所述微型发光二极管还包括分别位于所述外延层的两侧表面的第五...

【专利技术属性】
技术研发人员：周婷婷，王英涛，孙雪菲，柳在健，李浩坤，王新星，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：