【技术实现步骤摘要】
本技术涉及石英晶体谐振器加工设备领域，特别是涉及一种用于石英晶片镀膜后刻蚀的离子束产生装置。
技术介绍
1、在石英晶体加工工艺中，石英晶片镀膜后，需要进行频率精调，使其频率精度达到目标要求，此时需要通过等离子体或者离子束实现刻蚀工艺，其中离子束刻蚀是利用具有一定能量的离子束轰击材料表面，使材料原子发生溅射，从而达到刻蚀目的。
2、其中离子束在产生的时候，初速度较低，需要经过加速后才能够满足轰击的能量需求。因为用高引出电压方式获得较高能量的离子束受到击穿的限制，所以必须使离子在电场和磁场中加速；比如在授权公告号为cn217740468u的专利中所示的方案，通过设置电场实现离子束的加速过程。但是电场加速装置结构较为复杂，设备成本和维护成本较高，而且需要额外消耗电能，增加能源损耗。因此需要一种结构简单、低能耗的离子束产生装置。
技术实现思路
1、本技术的目的是解决现有技术的不足，提供一种用于石英晶片镀膜后刻蚀的离子束产生装置。
2、为了解决上述问题，本技术采用如下方案：<...
【技术保护点】
1.一种用于石英晶片镀膜后刻蚀的离子束产生装置，包括电离结构（1）、通气结构（2）、外壳（3）以及磁加速结构（4），其中磁加速结构（4）设置于外壳（3）周围；外壳（3）的内部设置有中空的腔体（31）；电离结构（1）位于腔体（31）内，通气结构（2）的出气端朝向腔体（31）内的电离结构（1）；其特征在于，所述磁加速结构（4）包括若干永磁体（41），永磁体（41）固定设置于外壳（3）的外侧，围绕外壳（3）的外周设置。
2.根据权利要求1所述的一种用于石英晶片镀膜后刻蚀的离子束产生装置，其特征在于，所述外壳（3）的外形整体为方形，其内设置有方形的腔体（31）；腔...
【技术特征摘要】
1.一种用于石英晶片镀膜后刻蚀的离子束产生装置，包括电离结构（1）、通气结构（2）、外壳（3）以及磁加速结构（4），其中磁加速结构（4）设置于外壳（3）周围；外壳（3）的内部设置有中空的腔体（31）；电离结构（1）位于腔体（31）内，通气结构（2）的出气端朝向腔体（31）内的电离结构（1）；其特征在于，所述磁加速结构（4）包括若干永磁体（41），永磁体（41）固定设置于外壳（3）的外侧，围绕外壳（3）的外周设置。
2.根据权利要求1所述的一种用于石英晶片镀膜后刻蚀的离子束产生装置，其特征在于，所述外壳（3）的外形整体为方形，其内设置有方形的腔体（31）；腔体（31）的两端贯穿外壳（3），在外壳（3）的两侧形成对应的开口。
3.根据权利要求2所述的一种用于石英晶片镀膜后刻蚀的离子束产生装置，其特征在于，所述电离结构（1）和通气结构（2）设置于固定板（32）上，固定板（32）位于外壳（3）的其中一端开口部位。
4.根据权利要求3所述的一种用于石英晶片镀膜后刻蚀的离子束产生装置，其特征在于，所述电离结构（1）包括用于导电的若干对探针（11）以及金属丝（12）；探针（11）的一端位于外壳（3）的腔体（31）内，探针（11）的另一端穿出固定板（32）到达外壳（3）的外侧；金属丝（12）设置于每对探针（11）中的两根探针（11）之间。
5.根据权利要求4所述的一种用于石英晶片镀膜后刻蚀的离子束产生装置，其特征在于，所述金属丝（12）的两端分别设置有向两端延伸的直杆（14）；每对探针（11）中的其中一根探针（11）上设置有用于固定金属丝（12）端部的直杆（14）的孔洞（15），另一根探针（11）上设置有用于嵌入直杆（14）的凹陷的固定槽（16），在固定槽（16）的侧面还设置有用于紧固直杆...
【专利技术属性】
技术研发人员：姜月月，胡志军，
申请(专利权)人：浙江汇隆晶片技术有限公司，
类型：新型
国别省市：
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