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本技术为解决现有离子束加速器设备成本高的问题；提供一种用于石英晶片镀膜后刻蚀的离子束产生装置，包括电离结构、通气结构、外壳以及磁加速结构，其中磁加速结构设置于外壳周围；外壳的内部设置有中空的腔体；电离结构位于腔体内，通气结构的出气端朝向腔体...
该专利属于浙江汇隆晶片技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过浙江汇隆晶片技术有限公司授权不得商用。

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