【技术实现步骤摘要】
本公开实施例涉及半导体，特别涉及一种存储器装置及其操作方法、存储器系统。
技术介绍
1、存储器是现代信息技术中用于保存信息的记忆设备。作为一种典型的非易失性半导体存储器，nand(not-and，与非型)闪存器由于具有较高的存储密度、可控的生产成本、合适的编擦速度及保持特性，已经成为存储市场中的主流产品。
2、随着对存储器要求的不断提高，如何减少编程时间、提高编程效率成为本领域现阶段亟需解决的技术问题之一。
技术实现思路
1、本公开实施例提出一种存储器装置及其操作方法、存储器系统。
2、第一方面，本公开实施例提供一种存储器装置，所述存储器装置包括存储器阵列以及与所述存储器阵列耦接的外围电路；其中，
3、所述外围电路包括与同一位线耦接的至少两个感测电路，所述至少两个感测电路的跳变阈值均不同，所述外围电路被配置为：
4、提供第一编程电压到与所述存储器阵列中多个选定存储单元耦接的选定字线，以对所述多个选定存储单元进行第一编程操作；
5、...
【技术保护点】
1.一种存储器装置，其特征在于，所述存储器装置包括存储器阵列以及与所述存储器阵列耦接的外围电路；其中，
2.根据权利要求1所述的存储器装置，其特征在于，所述感测电路的数量为N，且N＝M-1。
3.根据权利要求1所述的存储器装置，其特征在于，所述外围电路被配置为：
4.根据权利要求3所述的存储器装置，其特征在于，所述第一编程操作和所述第二编程操作的目标态均为第n态；
5.根据权利要求4所述的存储器装置，其特征在于，
6.根据权利要求4所述的存储器装置，其特征在于，
7.根据权利要求1所述的存储器装置...
【技术特征摘要】
1.一种存储器装置，其特征在于，所述存储器装置包括存储器阵列以及与所述存储器阵列耦接的外围电路；其中，
2.根据权利要求1所述的存储器装置，其特征在于，所述感测电路的数量为n，且n＝m-1。
3.根据权利要求1所述的存储器装置，其特征在于，所述外围电路被配置为：
4.根据权利要求3所述的存储器装置，其特征在于，所述第一编程操作和所述第二编程操作的目标态均为第n态；
5.根据权利要求4所述的存储器装置，其特征在于，
6.根据权利要求4所述的存储器装置，其特征在于，
7.根据权利要求1所述的存储器装置，其特征在于，所述验证电压大于所述多个选定存储单元中每个选定存储单元的阈值电压。
8.根据权利要求1所述的存储器装置，其特征在于，所述至少两个感测电路中每个感测电路均包括锁存器。
9.根据权利要求8所述的存储器装置，其特征在于，每个所述锁存器中晶体管的宽长比均不同。
10.根据权利要求8所述的存储器装置，其特征在于，所述感测电路的数量为二，两个感测电路分别包括第一锁存器、第二锁存器；所述第一锁存器包括两个并联连接的反相器；所述第二锁存器包括两个并联连接的反相器以及调节电容。
...【专利技术属性】
技术研发人员：魏德波，张黄鹏，刘梦，陈翔，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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