用于制造半导体器件的方法技术

本发明专利技术的目的是建立用于制造使用氧化物半导体的半导体器件的加工技术。在衬底上方形成栅电极，在栅电极上方形成栅绝缘层，在栅绝缘层上方形成氧化物半导体层，通过湿法蚀刻加工氧化物半导体层以形成岛状氧化物半导体层，形成导电层以覆盖岛状氧化物半导体层，通过第一干法蚀刻加工导电层以形成源电极和漏电极，并且通过第二干法蚀刻去除岛状氧化物半导体层的一部分、或者通过干法蚀刻加工导电层以形成源电极和漏电极，并且通过所述干法蚀刻去除岛状氧化物半导体层的一部分以在岛状氧化物半导体层中形成凹陷部分。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及用于制造使用了氧化物半导体的半导体器件的方法。
技术介绍
近年来，用于使用氧化物半导体来形成薄膜晶体管(也称为TFT)并将薄膜晶体管 应用于电子设备等的技术备受关注。例如，专利文献1和专利文献2公开了用于使用氧化 锌或In-Ga-Zn-0类的氧化物半导体作为氧化物半导体膜来形成图像显示装置等的开关元 件的技术。 蚀刻处理是用于加工氧化物半导体的典型技术(见专利文献3和专利文献4)，但 是存在问题。例如，湿法蚀刻不适合于元件的小型化，因为湿法蚀刻是各向同性蚀亥IJ。另外， 因为在湿法蚀刻中使用化学溶液，所以在可控性上存在不足。另一方面，干法蚀刻具有小型 化和可控性的优点；然而，其缺点在于蚀刻速率慢，使得要花很多时间进行处理。另外，取决 于所用装置，有可能在要蚀刻的表面中发生偏差(variation)。 [参考文献] [专利文献1]日本特开2007-123861。 [OOOS] [专利文献2]日本特开2007-96055。 [专利文献3]日本特开2008-41695。 [专利文献4]日本特开2008-42067。
技术实现思路
如此，已经存在一些用于加工氧化物半导体的技术本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于制造半导体器件的方法，包含以下步骤：在衬底的上方形成栅电极；在所述栅电极的上方形成栅绝缘层；在所述栅绝缘层的上方形成氧化物半导体层；通过湿法蚀刻加工所述氧化物半导体层以形成岛状氧化物半导体层；在所述岛状氧化物半导体层的上方形成导电层；通过第一干法蚀刻加工所述导电层以形成源电极和漏电极，以及通过第二干法蚀刻去除所述岛状氧化物半导体层的一部分以在所述岛状氧化物半导体层中形成凹陷部分。

【技术特征摘要】
JP 2008-10-22 2008-271598一种用于制造半导体器件的方法，包含以下步骤在衬底的上方形成栅电极；在所述栅电极的上方形成栅绝缘层；在所述栅绝缘层的上方形成氧化物半导体层；通过湿法蚀刻加工所述氧化物半导体层以形成岛状氧化物半导体层；在所述岛状氧化物半导体层的上方形成导电层；通过第一干法蚀刻加工所述导电层以形成源电极和漏电极，以及通过第二干法蚀刻去除所述岛状氧化物半导体层的一部分以在所述岛状氧化物半导体层中形成凹陷部分。2. 根据权利要求1所述的用于制造半导体器件的方法，其中所述氧化物半导体层包括 铟、镓、和锌。3. 根据权利要求1所述的用于制造半导体器件的方法，其中使用在所述干法蚀刻中的 蚀刻速率高于所述氧化物半导体层所用的材料的蚀刻速率的材料来形成所述导电层。4. 根据权利要求1所述的用于制造半导体器件的方法，其中用包括氯的气体进行所述 干法蚀刻。5. 根据权利要求4所述的用于制造半导体器件的方法，其中 使用包括氧化硅的材料形成所述栅绝缘层，并且 所述包括氯的气体包括氧。6. 根据权利要求5所述的用于制造半导体器件的方法，所述包括氯的气体中氧的含量 为15体积％或更多。7. —种用于制造半导体器件的方法，包含以下步骤 在衬底的上方形成栅电极； 在所述栅电极的上方形成栅绝缘层； 在所述栅绝缘层的上方形成氧化物半导体层；通过湿法蚀刻加工所述氧化物半导体层以形成岛状氧化物半导体层； 在所述岛状氧化物半导体层的上方形成导电层； 通过干法蚀刻加工所述导电层以形成源电极和漏电极，以及通过所述干法蚀刻去除所述岛状氧化物半导体层的一部分以在所述岛状氧化物半导 体层中形成凹陷部分。8. 根据权利要求7所述的用于制造半导体器件的方法，其中所述氧化物半导体层包括 铟、镓、和锌。9. 根据权利要求7所述的用于制造半导体器件的方法，其中使用在所述干法蚀刻中的 蚀刻速率高于所述氧化物半导体层所用的材料的蚀刻速率的材料来形成所述导电层。10. 根据权利要求7所述的用于制造半导体器件的方法，其中用包括氯的气体进行所 述干法蚀刻。11. 根据权利要求io所述的用于制造半导体器件的方法，其中使用包括氧化硅的材料形成所述栅绝缘层，并且 所述包括氯的气体包括氧。12. 根据权利要求11所述的用于制造半导体器件的方法，所述包括氯的气体中氧的含量为15体积％或更多。13. —种用于制造半导体器件的方法，包含以下步骤 在衬底的上方形成栅电极； 在所述栅电极的上方形成栅绝缘层； 在所述栅绝缘层的上方形成第一氧化物半导体层；在所述第一氧化物半导体层的上方形成第二氧化物半导体层，其中所述第二氧化物半 导体层的导电率高于所述第一氧化物半导体层的导电率；通过湿法蚀刻加工所述第一氧化物半导体层和所述第二氧化物半导体层以形成第一 岛状氧化物半导体层和第二岛状氧化物半导体层；在所述第二岛状氧化物半导体层的上方形成导电层；通过第一干法蚀刻加工所述导电层以形成源电极和漏电极；并且通过第二干法蚀刻去除所述第一岛状氧化物半导体层的一部分和所述第二岛状氧化 物半导体层的一部分以在所述第一岛状氧化物半导体...

【专利技术属性】
技术研发人员：须泽英臣，笹川慎也，村冈大河，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]