【技术实现步骤摘要】
公开涉及垂直非易失性存储器装置和/或包括该垂直非易失性存储器装置的电子设备。
技术介绍
1、非易失性存储器装置包括多个存储器单元，所述多个存储器单元即使在其电源被阻断时也保持数据，因此能够在再次供电时使用所存储的数据。非易失性存储器装置可以用在蜂窝电话、数码相机、便携式数字助理(pda)、移动计算机装置、固定计算机装置和其他装置中。
2、为了增加非易失性存储器装置的容量，必须防止单元之间的电荷扩散或泄漏。
技术实现思路
1、提供了具有减少的单元之间的电荷扩散或泄漏的垂直非易失性存储器装置和包括该垂直非易失性存储器装置的电子设备。
2、另外的方面将部分地在下面的描述中阐述，并且部分地将从描述中明显，或者可以通过实践公开的所呈现的示例实施例而获知。
3、根据公开的方面，垂直非易失性存储器装置可以包括柱、围绕柱的侧表面的沟道层、围绕沟道层的侧表面的电荷隧穿层、围绕电荷隧穿层的侧表面并包括非晶氮氧化物的电荷捕获层、围绕电荷捕获层的侧表面的电荷阻挡层、以及围绕电荷...
【技术保护点】
1.一种垂直非易失性存储器装置，所述垂直非易失性存储器装置包括：
2.根据权利要求1所述的垂直非易失性存储器装置，其中，电荷捕获层包括AxByOzN(1-x-y-z)，其中，A和B是不同的元素，并且A和B中的至少一者是金属元素，O是氧，N是氮，x≥0.3，0<y≤0.1，z≥x。
3.根据权利要求2所述的垂直非易失性存储器装置，其中，A元素是铝、铪、锆和硅中的任一种。
4.根据权利要求2所述的垂直非易失性存储器装置，其中，B元素是铝、铪、锆、硅、硼和镓中的任一种。
5.根据权利要求2所述的垂直非易失性存储器装置，其...
【技术特征摘要】
1.一种垂直非易失性存储器装置，所述垂直非易失性存储器装置包括：
2.根据权利要求1所述的垂直非易失性存储器装置，其中，电荷捕获层包括axbyozn(1-x-y-z)，其中，a和b是不同的元素，并且a和b中的至少一者是金属元素，o是氧，n是氮，x≥0.3，0<y≤0.1，z≥x。
3.根据权利要求2所述的垂直非易失性存储器装置，其中，a元素是铝、铪、锆和硅中的任一种。
4.根据权利要求2所述的垂直非易失性存储器装置，其中，b元素是铝、铪、锆、硅、硼和镓中的任一种。
5.根据权利要求2所述的垂直非易失性存储器装置，其中，电荷捕获层中的a元素的含量为40at％或更少。
6.根据权利要求2所述的垂直非易失性存储器装置，其中，电荷捕获层中的氧元素的含量为60at％或更少。
7.根据权利要求2所述的垂直非易失性存储器装置，其中，电荷捕获层中的b元素的含量为6at％或更少。
8.根据权利要求2所述的垂直非易失性存储器装置，其中，电荷捕获层还包括碳。
9.根据权利要求8所述的垂直非易失性存储器装置，其中，电荷捕获层中的碳的含量小于或等于氮的含量。
10.根据权利要求8所述的垂直非易失性存储器装置，其中，电荷捕获层中的碳的含量为6at％或更少。
11.根据权利要求2所述的垂直非易失性存...
【专利技术属性】
技术研发人员：许浩硕，金贤庆，玄昇潭，金庆勳，杨承烈，延国贤，李珉贤，崔硕训，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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