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提供了一种垂直非易失性存储器装置。垂直非易失性存储器装置包括柱、围绕柱的侧表面的沟道层、围绕沟道层的侧表面的电荷隧穿层、围绕电荷隧穿层的侧表面并包括非晶氮氧化物的电荷捕获层、围绕电荷捕获层的侧表面的电荷阻挡层以及围绕电荷阻挡层的侧表面并沿电...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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