【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种动态随机存取存储器元件及其制造方法，且特别是涉及一种具有1t1c结构的动态随机存取存储器元件及其制造方法。
技术介绍
1、随着半导体技术的进步，动态随机存取存储器元件的尺寸朝着不断缩小的方向发展，以使动态随机存取存储器元件的占用面积可降低并提升其的集成度，进而提升元件密度。因此，寻求如何进一步降低动态随机存取存储器元件的占用面积以提升其的集成度为目前发展的目标之一。
技术实现思路
1、本专利技术提供一种动态随机存取存储器元件及其制造方法，此存储器元件的集成度可进一步提升。
2、本专利技术的一实施例的动态随机存取存储器元件包括基底、多条字线、多条位线以及多个存储器元件层。多条字线朝第一方向延伸。多条位线朝第二方向延伸，其中第二方向与第一方向正交。多个存储器元件层设置于基底上且在基底的法线方向上堆叠，其中多个存储器元件层中的每一者包括多个存储单元以及电容器电压传输线。多个存储单元包括薄膜晶体管以及电容器，其中多个存储单元中的每一者与相应的字线以及相应的位线电连接。...
【技术保护点】
1.一种动态随机存取存储器元件，包括：
2.如权利要求1所述的动态随机存取存储器元件，其中所述薄膜晶体管的沟道层的材料包括氧化物半导体。
3.如权利要求2所述的动态随机存取存储器元件，其中所述沟道层朝所述基底的所述法线方向延伸。
4.如权利要求1所述的动态随机存取存储器元件，其中所述多条位线在所述基底的所述法线方向延伸。
5.如权利要求1所述的动态随机存取存储器元件，其中所述多条字线朝所述基底的所述法线方向延伸。
6.如权利要求1所述的动态随机存取存储器元件，其中所述薄膜晶体管的漏极与所述位线属于同一层。p>
7.一种动...
【技术特征摘要】
1.一种动态随机存取存储器元件，包括：
2.如权利要求1所述的动态随机存取存储器元件，其中所述薄膜晶体管的沟道层的材料包括氧化物半导体。
3.如权利要求2所述的动态随机存取存储器元件，其中所述沟道层朝所述基底的所述法线方向延伸。
4.如权利要求1所述的动态随机存取存储器元件，其中所述多条位线在所述基底的所述法线方向延伸。
5.如权利要求1所述的动态随机存取存储器元件，其中所述多条字线朝所述基底的所述法线方向延伸。
6.如权利要求1所述的动态随机存取存储器元件，其中所述薄膜晶体管的漏极与所述位线属于同一层。
7.一种动态随机存取存储器元件的制造方法，包括：
8.如权利要求7所述的动态随机存取存储器元件的制造方法，在移除部分的所述第一介电材料层之前，还包括在所述栅极上形成第二介电层。
9.如权利要求7所述的动态随机存取存储器元件的制造方法，其中移除部分的所述第一介电层的步骤包括：
10.如权利要求7所述的动态随机存取存储器元件的制造方法，其中在所述基底上形成所述位线以及所述薄膜晶体管的所述漏极之前，在所述基底上形成第四介电层，其中所述第四介电层暴露出部分的所述主动层。
11.如权利要求7所述的动态随机存取存储器元件的制造方法，其中所述电容器的所述第一电极与所述源极连接以形成存储节点。
12.如权利要求7所述的动态随机存取存储器元件的制造方法，其中所述电容...
【专利技术属性】
技术研发人员：张文岳，
申请(专利权)人：力晶积成电子制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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