半导体器件及其形成方法技术

本发明专利技术提供一种半导体器件的形成方法，包括步骤：提供待处理衬底；在待处理衬底上形成第一侧墙，第一侧墙投影到待处理衬底表面的图形为环形，第一侧墙包括若干相互平行的第一部，且若干第一部沿着第一方向排布；在第一部的侧壁表面和顶部表面、以及待处理衬底表面形成第二侧墙层，第二侧墙层表面上形成有具有图形开口的图形化层，图形开口暴露出第一部顶部表面和侧壁表面的第二侧墙层；回刻蚀第二侧墙层，直至暴露出第一部的顶部表面，在第一部侧壁表面形成第二侧墙；在形成第二侧墙之后，去除第一部；在去除第一部之后，以第二侧墙为掩膜刻蚀待处理衬底，在待处理衬底内开口；以提升半导体器件的性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造，尤其涉及一种半导体器件及其形成方法。

技术介绍

1、双图案技术(double-patterning，dp)正作为一种解决途径在半导体器件制备过程中得到广泛的接受和应用。双图案技术(double-patterning，dp)通过节距碎片(pitchfragmentation)克服了k1限制，从而被广泛的用于半导体器件的制备中。目前在双图案技术(double-patterning，dp)技术中有自对准双图案(self-aligned double patterning，sadp)、光刻-刻蚀-光刻-刻蚀(litho-etch-litho-etch，lele)以及冻结涂层刻蚀(litho-freeze-litho，lfl)。

2、随着半导体制造技术越来越精密，集成电路也发生着重大的变革，集成在同一芯片上的元器件数量已从最初的几十、几百个增加到现在的数以百万个。为了达到电路密度的要求，半导体集成电路芯片的制作工艺利用批量处理技术，在衬底上形成各种类型的复杂器件，并将其互相连接以具有完整的电子功能，目前大多采用在导线之间以超低k本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括步骤：

2.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述待处理衬底包括：基底、位于所述基底上的介质层和位于所述介质层上的牺牲层。

3.如权利要求2所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，以所述第二侧墙为掩膜刻蚀所述待处理衬底，包括：刻蚀所述牺牲层，在所述牺牲层内形成牺牲层开口，所述牺牲层开口的底部暴露出所述介质层的表面；沿着所述牺牲层开口继续刻蚀暴露出的所述介质层，在所述介质层内形成所述开口。

4.如权利要求3所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，在沿着所述牺牲层开口继续刻蚀暴露出的所述介质层...

【技术特征摘要】

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括步骤：

2.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述待处理衬底包括：基底、位于所述基底上的介质层和位于所述介质层上的牺牲层。

3.如权利要求2所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，以所述第二侧墙为掩膜刻蚀所述待处理衬底，包括：刻蚀所述牺牲层，在所述牺牲层内形成牺牲层开口，所述牺牲层开口的底部暴露出所述介质层的表面；沿着所述牺牲层开口继续刻蚀暴露出的所述介质层，在所述介质层内形成所述开口。

4.如权利要求3所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，在沿着所述牺牲层开口继续刻蚀暴露出的所述介质层之前还包括：回刻蚀所述第二侧墙层，直至暴露出所述第一侧墙，在所述第一侧墙的侧壁表面形成掩膜侧墙。

5.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，在所述开口内形成导电层。

6.如权利要求5所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述导电层的材料为铜、铝、钴、钨和钌中的一种或者多种组合。

7.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括步骤：

8.如权利要求7所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，在所述牺牲层内形成过渡开口之前，还包括在所述牺牲层上以及部分所述第一部上形成第一图形层，所述第一图形层内具有第一图形开口，所述第一图形开口暴...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴轶超，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：