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本发明提供一种半导体器件的形成方法，包括步骤：提供待处理衬底；在待处理衬底上形成第一侧墙，第一侧墙投影到待处理衬底表面的图形为环形，第一侧墙包括若干相互平行的第一部，且若干第一部沿着第一方向排布；在第一部的侧壁表面和顶部表面、以及待处理衬底...
该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。

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