半导体结构的形成方法技术

一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底；形成晶体管，晶体管具有栅极以及位于栅极两侧的源漏区，栅极位于衬底表面，源漏区位于衬底内；在衬底表面形成层间介质层，层间介质层位于栅极周围；在层间介质层上形成若干相互分立的第一图形结构，相邻第一图形结构之间具有隔离间隙；在第一图形结构侧壁表面形成初始隔离层，初始隔离层与源漏区在垂直于衬底表面方向上至少部分重合；在隔离间隙内形成填充介质层，填充介质层暴露出初始隔离层顶部；去除部分初始隔离层，在第一图形结构和填充介质层之间形成若干第一沟槽以及位于第一沟槽内的隔离层。所述半导体结构的形成方法降低了工艺难度，减少了结构缺陷，改善了工艺窗口和器件性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，具体涉及一种半导体结构的形成方法。

技术介绍

1、随着半导体技术的发展，半导体器件的尺寸持续减小，半导体器件制造过程中的光刻工艺精度也不断提升。

2、在场效应晶体管器件中，晶体管的源极和漏极上通常设置有源漏电接触结构，源漏电接触结构的一端与源极、漏极接触，另一端与导电插塞电连接，从而使晶体管的源极和漏极与外部电路相连通。在目前的工艺中，通常使用多重曝光刻蚀技术(litho-etch-litho-etch,简称lele)进行源漏电接触结构的沟槽刻蚀，以实现小尺寸的源漏电接触结构的制备。

3、然而，随着集成电路制造工艺持续微缩，通过多重曝光刻蚀技术进行沟槽刻蚀的过程中，工艺难度很大，且引入的结构缺陷较多，导致工艺窗口小，电接触结构的电连接稳定性较差，器件性能有待提升。

技术实现思路

1、本专利技术解决的技术问题是，提供一种半导体结构的形成方法，降低了工艺难度，减少了结构缺陷，改善了工艺窗口和器件性能。

2、为解决上述技术问题，本专利技术的技术方案提供一种半本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一图形结构的形成方法包括：在所述层间介质层上形成第一材料层、位于所述第一材料层上的抗反射层、以及位于所述抗反射层上的光刻图形层，所述光刻图形层暴露出部分所述抗反射层表面；以所述光刻图形层为掩膜，刻蚀所述抗反射层和第一材料层，在所述层间介质层上形成第一图形结构。

3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述初始隔离层的形成方法包括：在所述层间介质层表面、第一图形结构侧壁表面以及第一图形结构顶部表面形成初始隔离材料层；回刻蚀所述层间介质层表面...

【技术特征摘要】

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一图形结构的形成方法包括：在所述层间介质层上形成第一材料层、位于所述第一材料层上的抗反射层、以及位于所述抗反射层上的光刻图形层，所述光刻图形层暴露出部分所述抗反射层表面；以所述光刻图形层为掩膜，刻蚀所述抗反射层和第一材料层，在所述层间介质层上形成第一图形结构。

3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述初始隔离层的形成方法包括：在所述层间介质层表面、第一图形结构侧壁表面以及第一图形结构顶部表面形成初始隔离材料层；回刻蚀所述层间介质层表面以及第一图形结构顶部表面的初始隔离材料层，形成位于所述第一图形结构侧壁表面的初始隔离层。

4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述初始隔离层在平行于衬底表面方向上的尺寸范围为10纳米～30纳米。

5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述初始隔离层在所述衬底表面上的投影图形为环形；所述初始隔离层包括两个相互平行的第一隔离结构和两个相互平行的第二隔离结构，所述第一隔离结构与第二隔离结构相邻排布且互相垂直。

6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述初始隔离层在所述衬底表面上的投影图形为长方形。

7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述隔离间隙内形成填充介质层的方法包括：在所述隔离间隙内沉积填充材料层，所述填充材料层的顶部表面高于所述初始隔离层以及第一图形结构的顶部表面；平坦化所述填充材料层，直至暴露出所述初始隔离层表面，从而形成填充介质层。

8.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一图形结构的材料与初始隔离层的材料不同。

9.如权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：司进，谭程，崇二敏，王彦，张海洋，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：