温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底；形成晶体管，晶体管具有栅极以及位于栅极两侧的源漏区，栅极位于衬底表面，源漏区位于衬底内；在衬底表面形成层间介质层，层间介质层位于栅极周围；在层间介质层上形成若干相互分立的第一图形结构，相邻第一图形结...
该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。